[发明专利]半导体器件组和基板在审
| 申请号： | 201910358103.8 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110085532A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 王阳阳;汤茂亮;刘少东 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L25/07 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 公共电极 控制电极 测试半导体器件 共享 延伸 基板 匹配 | ||
1.一种用于测试半导体器件的匹配的半导体器件组，其特征在于，包括：
多个半导体器件，其包括分别在第一方向上延伸的至少一个半导体器件，以及分别在与第一方向不同的第二方向上延伸的至少一个半导体器件，其中各半导体器件包括控制电极以及第一和第二非控制电极；
第一公共电极，各半导体器件共享所述第一公共电极并分别具有所述第一公共电极的一部分作为其控制电极；以及
第二公共电极，各半导体器件共享所述第二公共电极并分别具有所述第二公共电极的一部分作为其第一非控制电极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件组，其特征在于，所述第一公共电极呈环状设置，
所述第二公共电极位于所述第一公共电极的内侧。
3.根据权利要求1所述的半导体器件组，其特征在于，
各半导体器件的所述第一非控制电极和其第二非控制电极分别设于所述第一公共电极的不同侧。
4.根据权利要求3所述的半导体器件组，其特征在于，各半导体器件还具有有源区，所述有源区包括源极区和漏极区，各半导体器件的第一非控制电极与所述源极区和漏极区中对应的一个电连接。
5.根据权利要求4所述的半导体器件组，其特征在于，各半导体器件的所述源极区和漏极区中所述对应的一个设置在所述第一公共电极的内侧，并且形成在同一个掺杂区中。
6.根据权利要求1所述的半导体器件组，其特征在于，
各半导体器件的第二非控制电极位于所述第一公共电极的外侧，
各半导体器件的第二非控制电极是彼此分立的。
7.根据权利要求6所述的半导体器件组，其特征在于，各半导体器件的源极区和漏极区中的一个与其第二非控制电极电连接，并且形成在不同掺杂区中。
8.根据权利要求1所述的半导体器件组，其特征在于，
各半导体器件具有沟道，并且各半导体器件在各自沟道宽度方向上延伸，
其中第一方向和第二方向垂直。
9.根据权利要求1所述的半导体器件组，其特征在于，各所述半导体器件的对应部件的尺寸相同。
10.根据权利要求1所述的半导体器件组，其特征在于，
所述第一公共电极连接到第一端子，
所述第二公共电极连接到第二端子，
各半导体器件的第二非控制电极分别连接到一个第三端子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910358103.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：晶圆温度分布的检测方法
- 下一篇：一种LED光斑对称性的检测方法及检测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
