[发明专利]半导体器件组和基板

说明书

本公开涉及半导体器件组和基板。公开了一种用于测试半导体器件的匹配的半导体器件组，其包括：多个半导体器件，其包括分别在第一方向上延伸的至少一个半导体器件，以及分别在与第一方向不同的第二方向上延伸的至少一个半导体器件，其中各半导体器件包括控制电极以及第一和第二非控制电极；第一公共电极，各半导体器件共享所述第一公共电极并分别具有所述第一公共电极的一部分作为其控制电极；以及第二公共电极，各半导体器件共享所述第二公共电极并分别具有所述第二公共电极的一部分作为其第一非控制电极。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种半导体器件组和基板，更具体地，涉及用于测试半导体器件的匹配的半导体器件组和包括所述器件组的基板。

背景技术

在集成电路(IC)芯片设计中，存在不同取向的半导体器件，例如晶体管。不同的取向和/或不同的杂质注入角度等将会影响器件的特性，使得不同取向的器件的特性出现偏差而不匹配。因此，需要设置测试器件组来测试器件特性的匹配。

然而，由于需要确定测试器件组中每个测试器件的特性，因此需要为各器件提供测试端子(例如，焊盘(焊盘)以进行测试。例如，对于晶体管，其三个电极分别连接到三个用于测试的端子。通常，端子所占据的面积远大于器件组中的器件所占据的面积。而测试器件组中往往包括多个器件。因此半导体器件组本身所占的空间较大。

发明内容

根据本公开一个方面，提供了一种用于测试半导体器件的匹配的半导体器件组，其特征在于，包括：多个半导体器件，其包括分别在第一方向上延伸的至少一个半导体器件，以及分别在与第一方向不同的第二方向上延伸的至少一个半导体器件，其中各半导体器件包括控制电极以及第一和第二非控制电极；第一公共电极，各半导体器件共享所述第一公共电极并分别具有所述第一公共电极的一部分作为其控制电极；以及第二公共电极，各半导体器件共享所述第二公共电极并分别具有所述第二公共电极的一部分作为其第一非控制电极。

在一些实施例中，所述第一公共电极呈环状设置，所述第二公共电极位于所述第一公共电极的内侧。

在一些实施例中，各半导体器件的所述第一非控制电极和其第二非控制电极分别设于所述第一公共电极的不同侧。

在一些实施例中，各半导体器件还具有有源区，所述有源区包括源极区和漏极区，各半导体器件的第一非控制电极与所述源极区和漏极区中对应的一个电连接。

在一些实施例中，各半导体器件的所述源极区和漏极区中所述对应的一个设置在所述第一公共电极的内侧，并且形成在同一个掺杂区中。

在一些实施例中，各半导体器件的第二非控制电极位于所述第一公共电极的外侧，各半导体器件的第二非控制电极是彼此分立的。

在一些实施例中，各半导体器件的源极区和漏极区中的一个与其第二非控制电极电连接，并且形成在不同掺杂区中。

在一些实施例中，各半导体器件具有沟道，并且各半导体器件在各自沟道宽度方向上延伸，其中第一方向和第二方向垂直。

在一些实施例中，各所述半导体器件的对应部件的尺寸相同。

在一些实施例中，所述第一公共电极连接到第一端子，所述第二公共电极连接到第二端子，各半导体器件的第二非控制电极分别连接到一个第三端子。

在一些实施例中，所述在第一方向上延伸的至少一个半导体器件包括至少两个半导体器件，所述在第二方向上延伸的至少一个半导体器件包括至少两个半导体器件，所述半导体器件组用于测量下列中的至少一项：在第一方向上延伸的器件之间的匹配度，在第二方向上延伸的器件之间的匹配度，在第一方向上延伸的器件与在第二方向上延伸的器件之间的匹配度。

在一些实施例中，所述多个半导体器件还包括：在不同于所述第一方向和第二方向的第三方向上延伸的另外的半导体器件。