[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

连接构件，具有彼此背对的第一表面和第二表面，并包括至少一个绝缘层和至少一个重新分布层，所述绝缘层的第一表面与所述连接构件的所述第一表面对应，所述至少一个重新分布层包括过孔和重新分布层图案，所述过孔贯穿所述至少一个绝缘层，所述重新分布层图案连接到所述过孔并设置在所述至少一个绝缘层的与所述绝缘层的所述第一表面背对的第二表面上；

半导体芯片，设置在所述连接构件的所述第一表面上，并包括连接到所述至少一个重新分布层的连接焊盘；以及

包封剂，设置在所述连接构件的所述第一表面上并包封所述半导体芯片，

其中，所述至少一个重新分布层包括设置在所述至少一个绝缘层的所述第二表面上的种子层和设置在所述种子层上的镀层，并且

所述至少一个绝缘层和所述种子层的构成所述过孔的部分之间的界面包括第一凹凸表面，所述第一凹凸表面具有30nm或更大的表面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述种子层的所述部分与所述镀层的一部分之间的界面包括第二凹凸表面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一凹凸表面的表面粗糙度大于所述种子层的位于所述过孔的与所述至少一个绝缘层的所述第一表面相邻的表面上的部分的表面粗糙度。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一凹凸表面的表面粗糙度是50nm或更大。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一凹凸表面延伸到所述至少一个绝缘层的所述第二表面和所述种子层的构成所述重新分布层图案的部分之间的界面。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述种子层包括钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)和钨(W)中的至少一种，所述镀层包括铜(Cu)。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个绝缘层包括感光介电材料。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个绝缘层包括多个绝缘层，并且

所述至少一个重新分布层包括设置在对应的绝缘层上的多个重新分布层。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述种子层的构成所述多个重新分布层的过孔的部分中的每个部分分别包括在与所述对应的绝缘层的界面处的凹凸表面。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括支撑框架，所述支撑框架设置在所述连接构件的所述第一表面上并包括容纳所述半导体芯片的腔。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，所述支撑框架包括使所述支撑框架的上表面和下表面彼此连接的布线结构，

其中，所述布线结构电连接到所述至少一个重新分布层。

12.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括设置在所述连接构件的所述第二表面上的电连接结构以及使所述电连接结构和所述至少一个重新分布层彼此电连接的凸块下金属层。

13.一种半导体封装件，包括：

连接构件，具有彼此背对的第一表面和第二表面，并包括绝缘层和重新分布层，所述重新分布层包括贯穿所述绝缘层的过孔；

半导体芯片，设置在所述连接构件的所述第一表面上并包括连接到所述重新分布层的连接焊盘；以及

包封剂，设置在所述连接构件的所述第一表面上并包封所述半导体芯片；

其中，所述绝缘层包括开口，所述过孔贯穿所述开口，所述重新分布层包括设置在所述开口的侧壁上和所述绝缘层的第一表面上的种子层以及设置在所述种子层上的镀层，

其中，所述开口的所述侧壁和所述绝缘层的所述第一表面的表面粗糙度大于所述种子层的位于所述过孔的与所述绝缘层的所述第一表面背对的表面上的部分的表面粗糙度。