[发明专利]半导体封装件

说明书

本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接构件，具有彼此背对的第一表面和第二表面，并包括至少一个绝缘层和重新分布层，所述重新分布层包括贯穿所述绝缘层的过孔和连接到所述过孔并位于所述绝缘层的上表面上的RDL图案；半导体芯片，设置在所述第一表面上，并包括连接到所述重新分布层的连接焊盘；以及包封剂，设置在所述第一表面上并包封所述半导体芯片。所述重新分布层包括设置在所述绝缘层的表面上的种子层和设置在所述种子层上的镀层。所述绝缘层和所述种子层的构成所述过孔的部分之间的界面包括第一凹凸表面，所述第一凹凸表面具有30nm或更大的表面粗糙度。

本申请要求于2018年8月30日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0102886号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装件。

背景技术

已积极地研究用于实现装置轻量化、纤薄化且紧凑化的封装技术。就这一点而言，在制造工艺或使用环境中确保封装件抵抗热应力的可靠性是非常重要的。

这样的热应力可能集中发生在不同材料之间的接触点处。因此，绝缘层中的重新分布层可能会有缺陷，从而导致封装件可靠性降低的问题。

发明内容

本公开的一方面提供一种可降低由于发生在不同材料之间的热应力而导致可靠性劣化的半导体封装件。

根据本公开的一方面，一种半导体封装件包括：连接构件，具有彼此背对的第一表面和第二表面，并包括至少一个绝缘层和至少一个重新分布层，所述至少一个重新分布层包括过孔和RDL图案，所述过孔贯穿所述至少一个绝缘层，所述RDL图案连接到所述过孔并位于所述至少一个绝缘层的上表面上；半导体芯片，设置在所述连接构件的所述第一表面上，并包括连接到所述至少一个重新分布层的连接焊盘；以及包封剂，设置在所述连接构件的所述第一表面上并包封所述半导体芯片。所述至少一个重新分布层包括设置在所述至少一个绝缘层的表面上的种子层和设置在所述种子层上的镀层，并且所述至少一个绝缘层和所述种子层的构成所述过孔的部分之间的界面包括第一凹凸表面，所述第一凹凸表面具有30nm或更大的表面粗糙度。

根据本公开的一方面，一种半导体封装件包括：连接构件，具有彼此背对的第一表面和第二表面，并包括绝缘层和重新分布层，所述重新分布层包括贯穿所述绝缘层的过孔；半导体芯片，设置在所述连接构件的所述第一表面上并包括连接到所述重新分布层的连接焊盘；以及包封剂，设置在所述连接构件的所述第一表面上并包封所述半导体芯片。所述绝缘层包括开口，所述过孔贯穿所述开口，所述重新分布层包括设置在所述开口的侧壁上和所述绝缘层的上表面上的种子层以及设置在所述种子层上的镀层。所述开口的所述侧壁和所述绝缘层的所述上表面的表面粗糙度大于所述种子层的位于所述过孔的底表面上的部分的表面粗糙度。

根据本公开的一方面，一种半导体封装件包括：半导体芯片，具有位于有效表面上的连接焊盘，所述半导体芯片设置在连接构件上，使得所述有效表面直接接触所述连接构件的第一表面。所述连接构件包括：绝缘层，包括贯穿所述绝缘层的通路孔；重新分布层，电连接到所述连接焊盘并设置在所述绝缘层的与所述连接构件的所述第一表面背对的第一表面上，所述重新分布层包括设置在所述通路孔中的过孔。其中，所述重新分布层包括设置在所述通路孔的侧壁和所述绝缘层的所述第一表面上的种子层以及设置在所述种子层上的镀层，并且所述种子层与所述绝缘层之间的界面和所述种子层与所述通路孔的所述侧壁之间的界面形成第一凹凸表面，所述第一凹凸表面的表面粗糙度大于所述种子层与位于所述绝缘层的与所述绝缘层的所述第一表面背对的第二表面上的所述通路孔下方的层之间的界面处的表面粗糙度。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图；