[发明专利]半导体装置、其制造方法和其操作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

电压产生器，其产生参考电压；

第一参考电流产生器，其接收所述参考电压并产生参考电流；

非易失性存储器，其存储校准码；

第一偏置电流产生器，其对所述参考电流进行镜像处理，以产生第一偏置电流；以及

第二偏置电流产生器，其根据所述非易失性存储器的所述校准码调整所述参考电流，以产生第二偏置电流，

其中，所述第一偏置电流产生器包括晶体管、电阻器和第一多路复用器，并且

其中，所述第一多路复用器构造为：在校准模式下，将所述晶体管连接至所述电阻器，使得所述参考电流被镜像处理以在所述电阻器两端产生第一电压，并且在正常操作模式下，将所述晶体管连接至外围块，使得所述第一偏置电流被供应至所述外围块。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述非易失性存储器包括电熔丝或可编程只读存储器。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第二偏置电流产生器包括并联布置的多个校准晶体管以及各自连接至所述多个校准晶体管中的对应的校准晶体管的多个第一开关，并且

其中，通过所述校准码控制所述多个第一开关，使得根据所述校准码确定所述第二偏置电流的电流量。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：

片上终端电阻器，其包括并联布置的多个单元终端电阻器以及各自连接至对应的单元终端电阻器的多个第二开关，

其中，通过所述校准码控制所述多个第二开关，使得根据所述校准码确定所述片上终端电阻器的电阻值，并且

其中，通过相同的校准码控制所述多个第一开关和所述多个第二开关。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中，所述多个校准晶体管的数量和所述多个单元终端电阻器的数量相同。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中，所述校准码由多个二进制位表示，所述多个二进制位中的每一位控制所述多个第一开关中的对应的第一开关和所述多个第二开关中的对应的第二开关。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中，所述第二偏置电流产生器还包括与所述多个校准晶体管并联的基础校准晶体管，并且

其中，所述片上终端电阻器还包括与所述多个单元终端电阻器并联的基础终端电阻器。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中，所述多个校准晶体管具有按照二进制加权值的比率的大小，或者所述多个校准晶体管中的每一个具有相同的大小。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，

其中，所述多个单元终端电阻器各自具有二进制加权电阻或者具有相同的电阻。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述电阻器是可变电阻器。

11.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：

第一连接焊盘，其连接至测试板上的外部电阻器，

其中，所述外部电阻器在所述校准模式中连接至所述第一连接焊盘，在所述正常操作模式中与所述第一连接焊盘断开连接，

其中，所述第二偏置电流产生器还包括第二多路复用器，其中，所述第二多路复用器的输出连接至所述多个第一开关，所述第二多路复用器的第一输入连接至所述第一连接焊盘，并且所述第二多路复用器的第二输入连接至所述外围块，并且

其中，在所述校准模式中，控制所述第二多路复用器以将所述第二多路复用器的所述第一输入连接至所述第二多路复用器的所述输出，使得所述参考电流被镜像处理以流过所述第一连接焊盘和所述外部电阻器，从而在所述外部电阻器两端产生第二电压，并且在所述正常操作模式中，控制所述第二多路复用器以将所述第二多路复用器的所述第二输入连接至所述第二多路复用器的所述输出，使得所述第二偏置电流被供应至所述外围块。