[发明专利]半导体装置、其制造方法和其操作方法

说明书

一种半导体装置包括：电压产生器，其产生参考电压；第一参考电流产生器，其接收参考电压并产生参考电流；非易失性存储器，其存储校准码；第一偏置电流产生器，其对参考电流进行镜像处理，以产生第一偏置电流；以及第二偏置电流产生器，其根据非易失性存储器的校准码调整参考电流，以产生第二偏置电流。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年5月8日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2018-0052460的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体装置，其包括非易失性存储器、偏置电流产生器和片上终端电阻器，一种制造其的方法和一种操作其的方法。

背景技术

电子装置，特别是半导体装置被制造成包括各种半导体元件。

例如，通过使用半导体(或半导体材料)来制造集成电路的各种元件，诸如电阻器、电容器和晶体管。半导体元件的操作特性可能随诸如温度、湿度和在晶片上的位置的各种环境因素而变化。

也就是说，电阻器的电阻值、电容器的电容量和晶体管的电流量可随与制造工艺相关的工艺变化而变化。

在半导体装置中使用各种电流或电压。半导体装置中的特定组件可需要相对电流或电压。例如，将相同的工艺变化应用于半导体装置中的半导体元件。因此，工艺变化可在特定组件中被抵消，并且特定组件可需要不伴随校准的相对电流或电压。

半导体装置中的任何其它组件可需要绝对电流或电压。例如，在半导体装置的其它组件中，工艺变化可不被抵消。在这种情况下，其它组件的工作特性可随工艺变化而变化。因此，其它组件可需要经过校准的电流或电压以补偿工艺变化校准，即绝对电流或电压。

这样，在半导体装置中，产生相对电流或电压的元件和产生绝对电流或电压的元件是必需的。具体地说，存在对复杂性降低、因此制造成本降低的包括电流或电压产生元件的半导体装置的需要。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种复杂性降低并因此制造成本降低的产生电流或电压的集成电路以及一种产生集成电路的电流的方法。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体装置包括：电压产生器，其产生参考电压；第一参考电流产生器，其接收参考电压并产生参考电流；非易失性存储器，其存储校准码；第一偏置电流产生器，其对参考电流进行镜像处理，以产生第一偏置电流；以及第二偏置电流产生器，其根据非易失性存储器的校准码调整参考电流，以产生第二偏置电流。

根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体装置包括：存储校准码的非易失性存储器；产生参考电压的电压产生器；第二参考电流产生器，其接收参考电压和根据非易失性存储器的校准码产生第二参考电流；以及第二偏置电流产生器，其对第二参考电流进行镜像处理，以产生第二偏置电流。

根据本发明构思的示例性实施例，如下提供了一种制造包括非易失性存储器、偏置电流产生器和片上终端电阻器的半导体装置的方法。通过使用校准码校准偏置电流产生器来产生表示装置参数相对于设计值的偏差的校准码。所述校准码被存储在非易失性存储器中。

根据本发明构思的示例性实施例，下面提供了一种操作半导体装置的方法，所述半导体装置具有编程有校准码的非易失性存储器、偏置电流产生器和片上终端电阻器。从非易失性存储器中读取校准码。校准码表示装置参数相对于设计值的偏差程度。利用校准码设置偏置电流产生器，以具有根据校准码的驱动能力。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的以上和其它方面和特征将变得清楚。

图1是示出根据第一本发明构思的实施例的包括集成电路的半导体装置的图。

图2是示出图1的第二电流产生单元的第一可变电阻器的示例的图。