[发明专利]数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置有效
申请号: | 201910362079.5 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN111858389B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 杨杰;林仪玹;黄泰元;林炳全 | 申请(专利权)人: | 群联电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 写入 方法 存储器 控制电路 单元 以及 存储 装置 | ||
1.一种数据写入方法,用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块具有多个实体抹除单元,所述多个实体抹除单元之中的每一个实体抹除单元具有多个实体程序化单元,所述数据写入方法包括:
将所述多个实体抹除单元至少分组为数据区及闲置区,其中所述闲置区的实体抹除单元为空的且可用以写入的实体抹除单元,用以替代所述数据区的实体抹除单元;
从主机系统接收第一写入指令;
判断所述闲置区的实体抹除单元的数量是否大于第一门槛值;
响应于所述闲置区中的实体抹除单元的数量大于所述第一门槛值的判断结果,从所述闲置区中选择第一实体抹除单元,并使用单页程序化模式或多页程序化模式将对应所述第一写入指令的数据写入至所述第一实体抹除单元的至少一第一实体程序化单元中;以及
响应于所述闲置区中的实体抹除单元的数量非大于所述第一门槛值的判断结果,从所述闲置区中选择第二实体抹除单元,并仅使用所述单页程序化模式将对应所述第一写入指令的数据写入至所述第二实体抹除单元的至少一第二实体程序化单元中。
2.根据权利要求1所述的数据写入方法,还包括:
判断所述闲置区的实体抹除单元的数量是否非大于第二门槛值;以及
当所述闲置区的实体抹除单元的数量非大于所述第二门槛值时,执行有效数据合并操作,其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。
3.根据权利要求2所述的数据写入方法,其中执行所述有效数据合并操作的步骤包括:
使用所述多页程序化模式将使用所述单页程序化模式写入的多个有效数据复制至从所述闲置区中选择的第三实体抹除单元的多个第三实体程序化单元中。
4.根据权利要求2所述的数据写入方法,还包括:
当所述可复写式非易失性存储器模块在不正常断电并且重新上电后,执行判断所述闲置区中的实体抹除单元的数量是否非大于所述第二门槛值的步骤。
5.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中使用所述单页程序化模式将对应所述第一写入指令的数据写入至所述第二实体抹除单元的所述第二实体程序化单元中的步骤包括:
当所述可复写式非易失性存储器模块在不正常断电并且重新上电后,使用所述单页程序化模式将所述第二实体抹除单元中的多个有效数据复制至从所述闲置区中选择的第四实体抹除单元的至少一第四实体程序化单元中。
6.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中所述第一门槛值为15个实体抹除单元。
7.根据权利要求1所述的数据写入方法,其中
所述第一实体程序化单元是由多个第一存储单元所构成且所述第二实体程序化单元是由多个第二存储单元所构成,
在所述单页程序化模式中,构成所述第一实体程序化单元的所述多个第一存储单元之中的每一个以及构成所述第二实体程序化单元的所述多个第二存储单元之中的每一个仅存储1个比特数据,以及
在所述多页程序化模式中,构成所述第一实体程序化单元的所述多个第一存储单元之中的每一个存储多个比特数据。
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