[发明专利]数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置

说明书

本发明提供一种数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置。所述方法包括：从主机系统接收第一写入指令；当可用以写入的实体抹除单元的数量大于第一门槛值时，从可用以写入的实体抹除单元中选择第一实体抹除单元，并使用单页程序化模式或多页程序化模式将对应第一写入指令的数据写入至第一实体抹除单元中；以及当可用以写入的实体抹除单元的数量非大于第一门槛值时，从可用以写入的实体抹除单元中选择第二实体抹除单元，并仅使用单页程序化模式将对应第一写入指令的数据写入至第二实体抹除单元中。

技术领域

本发明涉及一种数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置。

背景技术

数字相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，最适于可携式电子产品，例如笔记本电脑。固态硬盘就是一种以快闪存储器作为存储媒体的存储器存储装置。因此，近年快闪存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。

一般来说，可复写式非易失性存储器具有多个实体抹除单元，且每一个实体抹除单元会具有多个实体程序化单元。一个实体程序化单元通常由多个存储单元所组成。存储器管理电路可使用单页程序化模式或多页程序化模式来将数据程序化(或写入)至实体抹除单元。在此，基于单页程序化模式来程序化存储单元的程序化速度会高于基于多页程序化模式来程序化存储单元的程序化速度(即，使用多页程序化模式来程序化数据的所需操作时间大于使用单页程序化模式来程序化数据的所需操作时间)。其中，被使用单页程序化模式写入的实体程序化单元中的每一个存储单元仅存储1个比特数据，被使用多页程序化模式写入的实体程序化单元中的每一个存储单元会存储多个比特数据。

特别是，当存储器管理电路对一个实体抹除单元进行写入时，假设此时发生不正常断电，在可复写式非易失性存储器模块重新上电后，存储器管理电路需执行一错误复原机制。假设在断电前存储器管理电路是使用多页程序化模式来将数据写入至一实体抹除单元，在可复写式非易失性存储器模块重新上电后，存储器管理电路会将断电前正在以多页程序化模式写入的实体抹除单元中的有效数据以多页程序化模式搬移(或复制)至另一个实体抹除单元。然而，将以多页程序化模式写入的数据以多页程序化模式搬移(或复制)至另一个实体抹除单元是相当耗时的。

此外，前述的错误复原机制也可以通过有效数据合并操作来完成。举例来说，假设在断电前存储器管理电路是使用多页程序化模式来将数据写入至一实体抹除单元，在可复写式非易失性存储器模块重新上电后，存储器管理电路会在适当的时机判断是否执行有效数据合并操作(或称为，垃圾搜集(garbage collection)操作)。例如，当可复写式非易失性存储器模块中可用以写入的实体抹除单元的数量不够时，存储器管理电路可以执行有效数据合并操作以对断电前以多页程序化模式写入的实体抹除单元中的有效数据以多页程序化模式搬移(或复制)至另一个实体抹除单元中，藉此增加可复写式非易失性存储器模块中可用以写入的实体抹除单元的数量且完成因断电所执行的错误复原机制。类似的，将以多页程序化模式写入的数据以多页程序化模式搬移(或复制)至另一个实体抹除单元是相当耗时的。

因此，当可复写式非易失性存储器模块在不正常断电时，如何在重新上电后快速地执行错误复原机制，是本领域技术人员所欲解决的问题之一。

发明内容

本发明提供一种数据写入方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置，可以在可复写式非易失性存储器模块不正常断电并重新上电后快速地执行错误复原机制。