[发明专利]一种LED芯片的切割方法

权利要求书

1.一种LED芯片的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)准备芯片：取研磨后的芯片，备用；

2)芯片P面半切：取步骤1)准备的芯片，放入锯片机，锯片机自动校准水平，分别沿水平解理边和垂直解理边进行半切，直至将P面电极等距离分割；

3)芯片N面激光划片：取步骤2)切割后的芯片，贴蓝膜；再将贴完膜的芯片放入紫外激光划片机，根据P面半切刀痕调整水平，划片切割；

4)芯片N面全切：取步骤3)激光划片后的芯片，放入锯片机中，N面上沿着激光划痕切割，切割深度与P面的半切深度重合；

5)再将芯片放在扩膜机上，预热，扩膜，使其分割成为一个个独立的晶粒；

6)结束操作。

2.根据权利要求1所述的一种LED芯片的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)准备芯片：取研磨后的芯片，备用；

2)芯片P面半切：取步骤1)准备的芯片，P面朝上放入锯片机，锯片机自动校准水平，分别沿水平解理边和垂直解理边进行半切，直至将P面电极等距离分割；半切深度为芯片厚度的22％-25％；

3)芯片N面激光划片：取步骤2)切割后的芯片，P面朝向蓝膜，N面朝上，贴在蓝膜上；再将贴完膜的芯片放入紫外激光划片机，根据P面半切刀痕调整水平，N面划片切割，形成的激光划痕的深度为芯片厚度的10％-15％；

4)芯片N面全切：取步骤3)激光划片后的芯片，放入锯片机中，N面上沿着激光划痕切割，切割深度与P面的半切深度重合；

5)再将芯片放在扩膜机上，预热10s，扩膜，使其分割成为一个个独立的晶粒；

6)结束操作。

3.根据权利要求2所述的一种LED芯片的切割方法，其特征在于：所述步骤2)中，锯片机的切割速度为40-70mm/s，锯片刀的刀刃伸出量为400-550μm。

4.根据权利要求2所述的一种LED芯片的切割方法，其特征在于：所述步骤3)中，激光器功率为1.4-1.7W，功率输出百分比为60-98％，划片速度120-150mm/s。

5.根据权利要求2所述的一种LED芯片的切割方法，其特征在于：所述步骤4)中，锯片机的锯片刀高为芯片和蓝膜厚度的80％-85％，切割速度为50-70mm/s。

6.根据权利要求2所述的一种LED芯片的切割方法，其特征在于：所述步骤5)中，预热温度为70-75℃。

7.根据权利要求2所述的一种LED芯片的切割方法，其特征在于：所述芯片的衬底为砷化镓基、硅基中的一种。

8.根据权利要求2所述的一种LED芯片的切割方法，其特征在于：所述蓝膜型号为spv-224S，所述蓝膜的尺寸为220mm×100m。