[发明专利]一种单晶太阳能电池及其制作方法、一种光伏组件在审
| 申请号： | 201910367759.6 | 申请日： | 2019-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN110071184A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 钱洪强;张树德;李跃;魏青竹;倪志春 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/028 | 分类号： | H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 215500 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磷掺杂层 单晶太阳能电池 背表面 磷掺杂 遂穿层 电极 光伏组件 载流子收集效率 前表面电极 自由载流子 薄膜接触 电极形成 接触设置 欧姆接触 生产效率 背光面 电连接 迎光面 申请 制备 制作 | ||
1.一种单晶太阳能电池，其特征在于，包括：
从迎光面到背光面依次接触设置的前表面电极、P型基体硅、遂穿层、磷掺杂层及背表面电极；
所述磷掺杂层为经过磷掺杂的N型半导体层；
所述磷掺杂层与所述背表面电极形成欧姆接触，且所述背表面电极与所述遂穿层无直接接触；
位于所述遂穿层两侧的所述P型基体硅与所述磷掺杂层中的自由载流子可发生遂穿效应，使所述P型基体硅与所述磷掺杂层实现电连接。
2.如权利要求1所述的单晶太阳能电池，其特征在于，所述遂穿层的厚度的范围为0.1纳米至2.0纳米，包括端点值。
3.如权利要求2所述的单晶太阳能电池，其特征在于，所述遂穿层为氧化铝层或二氧化硅层。
4.如权利要求3所述的单晶太阳能电池，其特征在于，所述单晶太阳能电池还包括钝化层；
所述钝化层包括前表面钝化层与背表面钝化层；
所述前表面钝化层设置于所述P型基体硅靠近所述迎光面的表面，所述前表面电极穿过所述前表面钝化层与所述P型基体硅接触设置；
所述背表面钝化层设置于所述磷掺杂层靠近所述背光面的表面，所述背表面电极穿过所述背表面钝化层与所述磷掺杂层接触设置。
5.如权利要求4所述的单晶太阳能电池，其特征在于，所述钝化层的厚度范围为50纳米至200纳米，包括端点值。
6.如权利要求1所述的单晶太阳能电池，其特征在于，所述P型基体硅靠近所述迎光面的表面为经过制绒处理的表面。
7.如权利要求1至7任一项所述的单晶太阳能电池，其特征在于，所述磷掺杂层的厚度的范围为50纳米至500纳米，包括端点值。
8.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括如权利要求1至7任一项所述的单晶太阳能电池。
9.一种单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
在P型基体硅的一侧设置遂穿层；
在遂穿层表面设置磷掺杂层；
通过金属烧结在所述P型基体硅与设置所述遂穿层相对的表面设置前表面电极，在所述磷掺杂层表面设置背表面电极，得到所述单晶太阳能电池。
10.如权利要求9所述的单晶太阳能电池，其特征在于，所述在遂穿层表面设置磷掺杂层具体为：
在所述遂穿层表面设置本征非晶硅层或多晶硅层；
对所述本征非晶硅层或所述多晶硅层进行磷掺杂，得到所述磷掺杂层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州腾晖光伏技术有限公司，未经苏州腾晖光伏技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910367759.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种太阳能电池及其制备方法
- 下一篇：多量子阱红外探测器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
