[发明专利]一种单晶太阳能电池及其制作方法、一种光伏组件

说明书

本申请公开了一种单晶太阳能电池，通过从迎光面到背光面依次接触设置的前表面电极、P型基体硅、遂穿层、磷掺杂层及背表面电极；所述磷掺杂层为经过磷掺杂的N型半导体层；所述磷掺杂层与背表面电极形成欧姆接触，且所述背表面电极与所述遂穿层无直接接触；位于所述遂穿层两侧的所述P型基体硅与所述磷掺杂层中的自由载流子可发生遂穿效应，使所述P型基体硅与所述磷掺杂层实现电连接。本申请需进行磷掺杂生成N型半导体层，而磷掺杂工艺简单，提升所述单晶太阳能电池的生产效率；所述背表面电极与所述磷掺杂层薄膜接触，增大了所述单晶太阳能电池的载流子收集效率。本发明同时提供了一种具有上述有益效果的单晶太阳能电池的制备方法及光伏组件。

技术领域

本申请涉及光伏能源领域，特别是涉及一种单晶太阳能电池及其制作方法、一种光伏组件。

背景技术

近年来，由于能源危机以及日益严重的环境污染日趋严重，各国对可再生能源的生产和投入逐渐加大力度，整个光伏行业都取得了突破性的迅猛发展，度电成本也越来越低，加上近年来政策支持，使低成本、高效率成为了降低度电成本的两大法宝，受到光伏企业的进一步重视。

德国Fraunhofer研究所研制出来的TOPcon(Tunnel Oxide Passivated contact)技术可以进一步使N型单晶电池效率实现突破，大幅提升N型单晶电池的工作效率，但现有的通过N型单晶材料稀缺，制作工艺复杂，成本高昂，拜其所赐目前的TOPcon电池产量始终卡在瓶颈，难以提升。综上所述，找到一种工艺简单，可大规模量产的高性能单晶TOPcon太阳能电池，是本领域技术人员亟待解决的问题。

申请内容

本申请的目的是提供一种单晶太阳能电池及其制作方法、一种光伏组件，以解决现有技术中硼掺杂难度较高，TOPcon单晶太阳能电池产能有限的问题。

为解决上述技术问题，本申请提供一种单晶太阳能电池，包括：

从迎光面到背光面依次接触设置的前表面电极、P型基体硅、遂穿层、磷掺杂层及背表面电极；

所述磷掺杂层为经过磷掺杂的N型半导体层；

所述磷掺杂层上与所述背表面电极形成欧姆接触，且所述背表面电极与所述遂穿层无直接接触；

位于所述遂穿层两侧的所述P型基体硅与所述磷掺杂层中的自由载流子可发生遂穿效应，使所述P型基体硅与所述磷掺杂层实现电连接。

可选地，在所述单晶太阳能电池中，所述遂穿层的厚度的范围为0.1纳米至2.0纳米，包括端点值。

可选地，在所述单晶太阳能电池中，所述遂穿层为氧化铝层或二氧化硅层。

可选地，在所述单晶太阳能电池中，所述单晶太阳能电池还包括钝化层；

所述钝化层包括前表面钝化层与背表面钝化层；

所述前表面钝化层设置于所述P型基体硅靠近所述迎光面的表面，所述前表面电极穿过所述前表面钝化层与所述P型基体硅接触设置；

所述背表面钝化层设置于所述磷掺杂层靠近所述背光面的表面，所述背表面电极穿过所述背表面钝化层与所述磷掺杂层接触设置。

可选地，在所述单晶太阳能电池中，所述钝化层的厚度范围为50纳米至200纳米，包括端点值。

可选地，在所述单晶太阳能电池中，所述P型基体硅靠近所述迎光面的表面为经过制绒处理的表面。

可选地，在所述单晶太阳能电池中，所述磷掺杂层的厚度的范围为50纳米至500纳米，包括端点值。

本申请还提供了一种光伏组件，所述光伏组件包括上述任一种所述的单晶太阳能电池。

本申请还提供了一种单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：