[发明专利]一种键合合金丝及其制备和应用有效
申请号: | 201910368456.6 | 申请日: | 2019-05-05 |
公开(公告)号: | CN109930020B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 赵义东;薛子夜;谢海涛 | 申请(专利权)人: | 浙江佳博科技股份有限公司 |
主分类号: | C22C5/06 | 分类号: | C22C5/06;C22F1/14;C22F1/02;C21D9/52;H01L23/49;H01L21/48 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李静 |
地址: | 325600 浙江省温州市乐清*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 合金丝 及其 制备 应用 | ||
本发明涉及一种键合合金丝及其制备和应用,属于键合丝加工技术领域。本发明所述键合合金丝的组成成分以质量分数计,包括银92%~99%,钯0.5%~4%,铜0.1‑2%,金0.1‑2%,镓20‑200PPM,铈20‑200PPM,铂20‑200PPM,镧20‑200PPM,经熔铸和拉丝后,制成截面直径≤50μm的键合合金丝;本发明以高纯银材为基础,添加合金元素,制成了具有较小延伸率浮动范围的键合丝,减少异常短线频率,提高键合产能和设备稼动率;适用于集成电路、大规模集成电路微型化封装,也适用于分立器件、LED封装;所述键合合金丝制备方法简单,实用性好。
技术领域
本发明涉及一种键合合金丝及其制备和应用,属于键合丝加工技术领域。
背景技术
半导体封装用键合丝是封装行业的基础材料之一,它决定着集成电路的发展水平,键合金丝所需要的合金丝需要具备机械强度好,成球特性好,接合性好,易于作业和焊接的特性。
传统使用的键合丝是一种微合金化高纯金丝,常用碱土金属、稀有金属和稀土金属、过渡金属以总质量分数0.0001%-0.01%加入高纯Au制成,但是近几年来,黄金市值一路飙升,不到十年时间黄金原料价格增长了140%,给使用键合金丝的厂家,增加了沉重的原材料成本,同时也大大增加了键合金丝生产厂商的生产及流动成本。
在研发方面,随着先进半导体封装技术进入中国大陆,对大陆键合金丝厂商也提出了更高的要求,键合金丝电参数、强度参数、成球参数等要求越来越高,而且由于封装器件尺寸的不断减小,常规的键合金丝已经达到了其能力极限,这就要求有直径更细、强度更高的合金丝来适应超细间距的封装器件,这就导致,键合丝在键合过程中或者应用过程中,线弧性能不稳定,容易出现异常断裂,导致键合产能低,设备稼动率低。
合金型金丝键合金丝,金和银在液态和固态都能无限固溶,显著提高键合金丝的强度,抗振动破断性能优良,当键合金丝合成环状时,球颈不会发生断裂,芯片也不会因为球软而发生破裂,现有中国专利文献CN103194637A公开了一种键合合金银丝,银<90wt%,金3.0wt%-10.0wt%,钯3.0wt%-8.0wt%得到得合金导电能力强,具有一定的抗氧化性、良好的可塑性,较高的断裂负荷和较好的伸长率,但是,在实际的键合过程和使用过程中,仍然不可避免会产生较高的断线频率。
发明内容
因此,本发明为了解决现有技术中键合丝线弧性能不稳定,断线频率高的技术问题,公开了一种键合合金丝及其制备和应用。
本发明公开了一种合金组合物,以所述合金组合物的总质量计,包括:银 92%~99.3wt%,钯0.5%~4wt%,铜0.1-2wt%,金0.1-2wt%,镓20-200PPM,铈20-200PPM,铂20-200PPM,镧20-200PPM。
优选的,银94%~98wt%,钯1%~3wt%,铜0.5-1.5wt%,金0.5-1.5wt%,镓100-150PPM,铈100-150PPM,铂100-150PPM,镧100-150PPM。
优选的,银95%,钯3%,铜1%,金1%,镓100PPM,铈100PPM,铂 100PPM,镧100PPM。
优选的,所述银、铜和金的纯度均为99.99%。
本发明还公开了一种合金丝,所述合金丝截面直径≤50μm,由所述的合金组合物制备而成。
本发明还公开了一种所述合金丝的制备方法,包括以下步骤:
熔铸步骤:将银基材及其他合金元素组成的母材进行熔铸制成棒材;
拉丝步骤:将所述棒材进行拉丝加工,拉制到所需尺寸的微细丝材;
退火步骤:将所述微细丝材进行退火工艺处理即得所需键合丝。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江佳博科技股份有限公司,未经浙江佳博科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910368456.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。