[发明专利]智能功率模块的封装方法及智能功率模块在审
申请号: | 201910371347.X | 申请日: | 2019-05-06 |
公开(公告)号: | CN110120354A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 敖利波;史波;曾丹;刘勇强;陈兆同 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/065 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 董文倩 |
地址: | 519070 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 智能功率模块 封装 第一树脂层 导电膏体 树脂层 电流承载能力 第二树脂层 印刷 方式电性 封装成型 功率芯片 驱动芯片 引线键合 杂散电感 传统的 | ||
1.一种智能功率模块的封装方法,其特征在于,包括:
在智能功率模块完成第一次树脂层封装后,在第一树脂层的外表面进行导电膏体印刷,其中,所述智能功率模块中的功率芯片内置于所述第一树脂层;
通过对经所述导电膏体印刷后的智能功率模块进行第二次树脂层封装,得到封装成型的智能功率模块,其中,所述智能功率模块的驱动芯片内置于第二树脂层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述功率芯片至少包括:开关芯片和续流芯片;在所述第一树脂层的外表面进行导电膏体印刷之后,所述开关芯片的发射极与所述续流芯片的阳极电连接。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述第一树脂层的外表面进行导电膏体印刷之后,所述开关芯片的栅极电连接至所述第一树脂层的外表面,使得所述开关芯片与所述驱动芯片连接,其中,所述驱动芯片用于对所述开关芯片进行驱动控制。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在对所述智能功率模块进行第一次树脂层封装之前,所述方法还包括:
在所述智能功率模块的覆铜陶瓷基板上印刷所述导电膏体;
通过回流焊接的方式将所述功率芯片固定在所述覆铜陶瓷基板上,所述开关芯片的集电极与所述续流芯片的阴极电连接。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在对经所述导电膏体印刷后的智能功率模块进行第二次树脂层封装,得到封装成型的智能功率模块之前,所述方法还包括:
采用表面组装技术将所述驱动芯片设置在所述第一树脂层的外表面;
通过回流焊接的方式将所述驱动芯片固定在所述第一树脂层的外表面上。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在对经所述导电膏体印刷后的智能功率模块进行第二次树脂层封装,得到封装成型的智能功率模块之后,所述方法还包括:
对所述封装成型的智能功率模块中的集体设置的引脚进行切割分离;
对切割分离之后得到的各个引脚进行折弯成型设置。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的方法,其特征在于,所述功率芯片的正面焊接区域及引脚焊接区域均露出所述第一树脂层的外表面。
8.根据权利要求1至6中任意一项所述的方法,其特征在于,所述第一树脂层和所述第二树脂层均为环氧树脂层;所述导电膏体包括以下至少之一:导电银胶、导电锡胶、导电锡膏、纳米银。
9.一种智能功率模块,其特征在于,包括:
第一树脂层和第二树脂层,分层设置在智能功率模块的芯片和引线框架外部,用于为所述芯片提供电性保护,所述芯片至少包括:功率芯片和驱动芯片;
所述功率芯片,设置在所述第一树脂层内,所述第一树脂层的外表面印刷有导电膏体;
所述驱动芯片,设置在所述第二树脂层内,与所述功率芯片连接,用于对所述功率芯片进行驱动控制。
10.根据权利要求9所述的智能功率模块,其特征在于,所述功率芯片至少包括:开关芯片和续流芯片;所述开关芯片的发射极与所述续流芯片的阳极电连接,所述开关芯片的集电极与所述续流芯片的阴极电连接。
11.根据权利要求10所述的智能功率模块,其特征在于,所述开关芯片的栅极电连接至所述第一树脂层的外表面,使得所述开关芯片与所述驱动芯片电连接,其中,
所述驱动芯片用于对所述开关芯片进行驱动控制。
12.根据权利要求9所述的智能功率模块,其特征在于,所述智能功率模块还包括:
覆铜陶瓷基板,设置于所述智能功率模块的底部,用于承载所述功率芯片,其中,所述覆铜陶瓷基板上印刷有所述导电膏体;
焊料层,与所述覆铜陶瓷基板和所述功率芯片连接,用于将所述功率芯片固定在所述覆铜陶瓷基板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造