[发明专利]器件层互连

权利要求书

1.一种集成电路(IC)管芯，包括：

包括晶体管阵列的器件层；

所述器件层的背面上的背面互连；

所述器件层中的器件层互连，电耦合到所述背面互连，其中，所述器件层互连与所述器件层互连的第一表面处的第一源极/漏极区和所述器件层互连的相对的第二表面处的第二源极/漏极区导电接触。

2.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述第一源极/漏极区位于半导体鳍状物的第一部分中，并且所述第二源极/漏极区位于所述半导体鳍状物的第二部分中。

3.根据权利要求2所述的IC管芯，其中，所述器件层互连延伸穿过所述半导体鳍状物。

4.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述器件层互连具有锥形轮廓。

5.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述器件层互连的所述第一表面与源极/漏极电极接触。

6.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述器件层互连的顶表面与源极/漏极电极接触。

7.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述器件层互连位于晶体管阵列的虚设栅极区中。

8.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述器件层互连位于第一隔离沟槽与第二隔离沟槽之间。

9.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述器件层互连是穿过第一半导体鳍状物的第一器件层互连，所述IC管芯还包括穿过第二半导体鳍状物的第二器件层互连，并且所述第一半导体鳍状物与所述第二半导体鳍状物相邻。

10.根据权利要求9所述的IC管芯，其中，所述第一器件层互连耦合到正电压平面，并且所述第二器件层互连耦合到负电压平面。

11.根据权利要求1所述的IC管芯，其中，所述器件层互连延伸穿过多个相邻的半导体鳍状物。

12.一种制造集成电路(IC)结构的方法，包括：

沿半导体鳍状物形成晶体管阵列；以及

在所述晶体管阵列中形成器件层互连，其中，所述器件层互连与所述晶体管阵列的多个不同的源极/漏极区电接触。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述器件层互连包括形成穿过所述半导体鳍状物的沟槽并用金属填充所述沟槽。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在形成所述沟槽之前，形成与所述多个不同的源极/漏极区接触的多个不同的源极/漏极电极。

15.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在用金属填充所述沟槽之后，形成与所述多个不同的源极/漏极区和所述金属接触的源极/漏极电极。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述沟槽的深度在100纳米与200纳米之间。

17.根据权利要求12-16中任一项所述的方法，还包括：

在形成所述器件层互连之前，穿过所述半导体鳍状物的一部分形成隔离沟槽。

18.根据权利要求12-16中任一项所述的方法，还包括：

在形成所述器件层互连之后，在所述器件层互连上方形成一组互连。