[发明专利]器件层互连在审
申请号: | 201910374596.4 | 申请日: | 2019-05-07 |
公开(公告)号: | CN110581132A | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | M·博尔;M·科布林斯基;M·内伯斯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L21/8234 |
代理公司: | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 邬少俊;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件层 晶体管阵列 互连 半导体鳍状物 源极/漏极区 电接触 集成电路 关联 | ||
本文描述的是与器件层互连相关联的集成电路(IC)结构、器件和方法。例如,IC管芯可以包括包含沿着半导体鳍状物的晶体管阵列的器件层、以及晶体管阵列中的器件层互连,其中器件层互连与晶体管阵列的多个不同的源极/漏极区电接触。
背景技术
在传统集成电路(IC)管芯中,器件层一侧上的金属化叠置体在器件层与外部器件之间提供导电通路。半导体衬底通常设置在器件层的另一侧。
附图说明
图1A-1C是根据各种实施例的包括IC结构的器件层中的器件层互连的集成电路(IC)结构的各种视图。
图2A-2C是根据各种实施例的包括IC结构的器件层中的器件层互连的另一IC结构的各种视图。
图3A-3C是根据各种实施例的包括IC结构的器件层中的器件层互连的另一IC结构的各种视图。
图4A-4C是根据各种实施例的包括IC结构的器件层中的器件层互连的另一IC结构的各种视图。
图5A-5C是根据各种实施例的包括IC结构的器件层中的器件层互连的另一IC结构的各种视图。
图6是根据各种实施例的包括IC结构的器件层中的器件层互连的另一IC结构的俯视图。
图7示出了根据各种实施例的三维(3D)IC的截面侧视图,其包括3D IC的器件层中的器件层互连,用以将正面互连与3D IC的背面互连电耦合。
图8是根据本文公开的任何实施例的可以包括器件层互连的晶圆和管芯的俯视图。
图9是根据各种实施例的可以包括器件层互连的IC封装的截面侧视图。
图10是根据本文公开的任何实施例的可以包括器件层互连的IC器件组件的截面侧视图。
图11是根据本文公开的任何实施例的可以包括器件层互连的示例性电气设备的方框图。
具体实施方式
本文描述的是与器件层互连相关联的集成电路(IC)结构、器件和方法。例如,IC管芯可以包括器件层,所述器件层包括沿着半导体鳍状物的晶体管阵列、以及晶体管阵列中的器件层互连,其中器件层互连与晶体管阵列的多个不同的源极/漏极区电接触。
在以下具体实施方式中,参考构成其一部分的附图,其中相似的附图标记通篇表示相似的部分,并且其中通过例示的方式示出了可以实施的实施例。应当理解,在不脱离本公开的范围的情况下,可以利用其他实施例,并且可以进行结构或逻辑上的改变。因此,以下具体实施方式不应被视为具有限制意义。
可以以最有助于理解所要求保护的主题的方式依次将各种操作描述为多个分立动作或操作。然而,描述的顺序不应被解释为暗示这些操作必须是顺序相关的。特别是,这些操作可以不按所呈现的顺序执行。所描述的操作可以以与所描述的实施例不同的顺序执行。在另外的实施例中可以执行各种附加操作,和/或可以省略所描述的操作。
出于本公开的目的,短语“A和/或B”表示(A)、(B)或(A和B)。出于本公开的目的,短语“A、B和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)、或(A、B和C)。附图不一定按比例绘制。尽管许多附图示出了具有平坦壁和直角拐角的直线结构,但这仅仅是为了便于说明,并且使用这些技术制造的实际器件将呈现圆角、表面粗糙度和其他特征。
本说明书使用短语“在一个实施例中”或“在实施例中”,其可以各自指代相同或不同实施例中的一个或多个。此外,关于本公开的实施例使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义的。如在本文中所使用的,“封装”和“IC封装”是同义的。当用于描述一系列尺寸时,短语“在X与Y之间”表示包括X和Y的范围。为方便起见,短语“图1”可以用于指代图1A-1C的附图集合,短语“图2”可以用于指代图2A-2C的附图的集合,等等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的