[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201910375340.5 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110491783A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 乔婉;于靖帅<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 聚酯系 器件芯片 分割预定线 晶片分割 拾取 开口 加工 多个器件 晶片定位 切削刀具 切削装置 一体化 收纳 热压接 切削 外周 加热 背面 分割 | ||
1.一种晶片的加工方法，将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其特征在于，
该晶片的加工方法具有如下的工序：
聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在该晶片的背面和该框架的外周上；
一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使该晶片和该框架借助该聚酯系片而一体化；
分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及
拾取工序，从该聚酯系片拾取各个器件芯片。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该一体化工序中，通过红外线的照射来实施该热压接。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该一体化工序中，在实施了一体化之后，将从该框架的外周探出的聚酯系片去除。
4.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该拾取工序中，对该聚酯系片进行扩展而使各器件芯片之间的间隔扩展，从该聚酯系片侧将该器件芯片上推。
5.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
该聚酯系片是聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片中的任意片。
6.根据权利要求5所述的晶片的加工方法，其特征在于，
在该一体化工序中，在该聚酯系片为该聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下，加热温度为250℃～270℃，在该聚酯系片为该聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下，加热温度为160℃～180℃。
7.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
该晶片由Si、GaN、GaAs、玻璃中的任意材料构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
