[发明专利]绝缘子污秽状态评价方法及装置

权利要求书

1.一种绝缘子污秽状态评价方法，其特征在于，包括以下步骤：

分别对所述绝缘子的上表面以及所述绝缘子的下表面进行分区；

提供一探头，并通过所述探头依次测量所述绝缘子上表面以及所述绝缘子下表面每一所述分区的局部闪络电压值；

根据所述绝缘子上表面每一所述分区的所述局部闪络电压值、所述绝缘子下表面每一所述分区的所述局部闪络电压值以及所述探头的闪络电压特性曲线得到所述上表面每一所述分区以及所述下表面每一所述分区对应的局部等值盐密；

根据所述绝缘子上表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子上表面的等值盐密，根据所述绝缘子下表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子下表面的等值盐密；

结合所述绝缘子上表面的形状系数、所述绝缘子下表面的形状系数、所述上表面的等值盐密以及所述下表面的等值盐密计算所述绝缘子的总体等值盐密；

根据所述绝缘子的所述总体等值盐密以及所述绝缘子的闪络电压特性曲线得到所述绝缘子的闪络电压值；以及

根据单片所述绝缘子的闪络电压值，通过线性运算，获得整串所述绝缘子的闪络电压值，从而评价整串所述绝缘子的污秽状态。

2.如权利要求1所述的绝缘子污秽状态评价方法，其特征在于，对所述绝缘子进行分区包括将所述绝缘子划分为多个同心的环带，沿所述绝缘子的直径方向将所述绝缘子划分为多个扇区，并把每个所述扇区内的每个环带作为一个分区。

3.如权利要求1所述的绝缘子污秽状态评价方法，其特征在于，所述探头包括一第一电极以及一第二电极，所述第一电极与所述第二电极平行设置，通过所述探头测量所述绝缘子上表面所述分区的局部闪络电压值包括将所述第一电极以及所述第二电极与所述上表面每一所述分区的表面接触并向所述上表面的分区表面施加去离子水，升高所述第一电极以及所述第二电极两端电压至发生闪络；通过所述探头测量所述绝缘子下表面所述分区的局部闪络电压值包括将所述第一电极以及所述第二电极与所述下表面每一所述分区的表面接触并向所述下表面的分区表面施加去离子水，升高所述第一电极以及所述第二电极两端电压至发生闪络。

4.如权利要求1所述的绝缘子污秽状态评价方法，其特征在于，定义所述绝缘子的所述总体等值盐密为S，所述总体等值盐密S的计算公式为：S＝(f₁+f₂)s₁s₂/(f₁s₂+f₂s₁)；

其中，f₁表示所述绝缘子上表面的形状系数，f₂表示所述绝缘子下表面的形状系数，s₁表示所述绝缘子上表面的等值盐密，s₂表示所述绝缘子下表面的等值盐密。

5.一种绝缘子污秽状态评价装置，用于确定所述绝缘子的一闪络电压值，其中，所述绝缘子上下表面各包括多个分区，其特征在于，所述绝缘子污秽状态评价装置包括：

一探头，所述探头用于测量所述绝缘子的上表面每一所述分区的局部闪络电压值以及所述绝缘子的下表面每一所述分区的局部闪络电压值；以及

一处理器，所述处理器用于：

根据每一所述分区的局部闪络电压值以及所述探头的闪络电压特性曲线得到所述分区对应的局部等值盐密；

根据所述绝缘子上表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子上表面的等值盐密，根据所述绝缘子下表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子下表面的等值盐密；

结合所述绝缘子上表面的形状系数、所述绝缘子下表面的形状系数、所述上表面的等值盐密以及所述下表面的等值盐密计算所述绝缘子的总体等值盐密；

根据所述绝缘子的所述总体等值盐密以及所述绝缘子的闪络电压特性曲线得到所述绝缘子的闪络电压值；以及

根据单片所述绝缘子的闪络电压值，通过线性运算，获得整串所述绝缘子的闪络电压值，从而评价整串所述绝缘子的污秽状态。