[发明专利]绝缘子污秽状态评价方法及装置有效

专利信息
申请号: 201910375604.7 申请日: 2019-05-07
公开(公告)号: CN110044966B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 梅红伟;邵仕超;王黎明 申请(专利权)人: 清华大学深圳研究生院
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00;G01R31/12
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人: 曾昭毅;郑海威
地址: 518055 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 绝缘子 污秽 状态 评价 方法 装置
【说明书】:

发明提供了一种绝缘子污秽状态评价方法,所述绝缘子污秽状态评价方法用于确定所述绝缘子的闪络电压值,从而评估所述绝缘子的污秽状态。本发明提供的所述绝缘子污秽状态评价方法操作便捷且便于现场直接测量。本发明还提供一种绝缘子污秽状态评价装置。

技术领域

本发明涉及电力电子技术及高电压技术领域,尤其涉及一种绝缘子污秽状态评价方法及装置。

背景技术

绝缘子污秽闪络事故会严重影响电网的安全稳定运行,在绝缘子的闪络研究工作中,绝缘子表面的污秽状态、污秽度水平是影响绝缘子闪络电压的重要参数,因此,掌握准确的绝缘子污秽度水平对闪络的防治工作尤为重要。绝缘子的闪络电压是绝缘子绝缘水平最直接的表征指标,闪络电压数值直接反映了绝缘子的绝缘性能,且具有最直观的参考作用,因而通过直接测量闪络电压可以了解绝缘子的表面污秽情况。然而,目前对绝缘子的闪络电压直接测量需搬运笨重设备以及施加高压等,不便于现场直接测量,因此在工程中应用中有诸多不便。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种操作便捷且便于现场直接测量的绝缘子污秽状态评价方法。

另,还有必要提供一种绝缘子污秽状态评价装置。

本发明提供一种绝缘子污秽状态评价方法,包括以下步骤:

分别对所述绝缘子的上表面以及所述绝缘子的下表面进行分区;

提供一探头,并通过所述探头依次测量所述绝缘子上表面以及所述绝缘子下表面每一所述分区的局部闪络电压值;

根据所述绝缘子上表面每一所述分区的所述局部闪络电压值、所述绝缘子下表面每一所述分区的所述局部闪络电压值以及所述探头的闪络电压特性曲线得到所述上表面每一所述分区以及所述下表面每一所述分区对应的局部等值盐密;

根据所述绝缘子上表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子上表面的等值盐密,根据所述绝缘子下表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子下表面的等值盐密;

结合所述绝缘子上表面的形状系数、所述绝缘子下表面的形状系数、所述上表面的等值盐密以及所述下表面的等值盐密计算所述绝缘子的总体等值盐密;

根据所述绝缘子的所述总体等值盐密以及所述绝缘子的闪络电压特性曲线得到所述绝缘子的闪络电压值;以及

根据单片所述绝缘子的闪络电压值,通过线性运算,获得整串所述绝缘子的闪络电压值,从而评价整串所述绝缘子的污秽状态。

本发明还提供一种绝缘子污秽状态评价装置,用于确定所述绝缘子的一闪络电压值,其中,所述绝缘子上下表面各包括多个分区,所述绝缘子污秽状态评价装置包括:

一探头,所述探头用于测量所述绝缘子的上表面每一所述分区的局部闪络电压值以及所述绝缘子的下表面每一所述分区的局部闪络电压值;以及

一处理器,所述处理器用于:

根据每一所述分区的局部闪络电压值以及所述探头的闪络电压特性曲线得到所述分区对应的局部等值盐密;

根据所述绝缘子上表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子上表面的等值盐密,根据所述绝缘子下表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子下表面的等值盐密;

结合所述绝缘子上表面的形状系数、所述绝缘子下表面的形状系数、所述上表面的等值盐密以及所述下表面的等值盐密计算所述绝缘子的总体等值盐密;

根据所述绝缘子的所述总体等值盐密以及所述绝缘子的闪络电压特性曲线得到所述绝缘子的闪络电压值;以及

根据单片所述绝缘子的闪络电压值,通过线性运算,获得整串所述绝缘子的闪络电压值,从而评价整串所述绝缘子的污秽状态。

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