[发明专利]一种高性能二氧化硅-二氧化锡氢气传感器有效

专利信息
申请号: 201910376316.3 申请日: 2019-05-07
公开(公告)号: CN110161085B 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 张覃轶;姚志伟 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 乔宇
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 性能 二氧化硅 氧化 氢气 传感器
【权利要求书】:

1.高性能SiO2-SnO2氢气传感器的制备方法,其特征在于:所述的高性能SiO2-SnO2氢气传感器包括SnO2气体传感器和印压在SnO2气体传感器上的介孔SiO2改性层,所述的介孔SiO2改性层层数为4-8层,所述的介孔SiO2改性层厚度为7-23μm,制备方法包括以下步骤:

1)将介孔SiO2粉末和印油快速用力研磨,将印油与粉末研磨均匀,使其充分混合,得到浆料,所述介孔SiO2粉末孔道结构清晰,孔径均匀,具有良好的介孔特性,介孔孔径为2-3nm,印油和介孔SiO2粉末的质量比10:1-8:1;

2)将步骤1)所得的浆料利用丝网印刷法印制于SnO2气体传感器上;

3)置于干燥箱中,干燥使印油挥发;

4)多层印制:重复步骤(2)和(3),将印有1层介孔SiO2的SnO2气体传感器加印到不同层数;

5) 将步骤4)所得加印到不同层数的SnO2气体传感器干燥,然后移至马弗炉中450-500℃烧结得到高性能SiO2-SnO2氢气传感器。

2.根据权利要求1所述的高性能SiO2-SnO2氢气传感器的制备方法,其特征在于:步骤3)的干燥温度为60℃,干燥1小时。

3.根据权利要求1所述的高性能SiO2-SnO2氢气传感器的制备方法,其特征在于:步骤5)中烧结为先升温为150℃,恒温20min,然后升温为300℃,恒温20min,最后将马弗炉温度设置为450-500℃,恒温2h。

4.根据权利要求1所述的高性能SiO2-SnO2氢气传感器的制备方法,其特征在于:所述SnO2气体传感器的制备方法:

a)称量适量的市售二氧化锡粉末,和印油快速用力研磨,将印油与粉末研磨均匀,使其充分混合,得到浆料;

b)将步骤a)所得的浆料利用丝网印刷法印制于空白气体传感器基片上;

c)置于干燥箱中,干燥使印油挥发,得到气体传感器;

d)将步骤c)所得气体传感器移至马弗炉中,600℃烧结2小时,得到SnO2气体传感器。

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