[发明专利]薄膜封装器件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910376516.9 申请日: 2019-05-07
公开(公告)号: CN111916473A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 江欢;叶雪妮 申请(专利权)人: 上海和辉光电有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 上海隆天律师事务所 31282 代理人: 臧云霄;钟宗
地址: 201506 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 封装 器件 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜封装器件,其特征在于,包括:

基板,所述基板的表面设有发光组件、环绕所述发光组件外周的第一限位柱、和环绕所述第一限位柱外周的第二限位柱;

第一无机膜,位于所述第二限位柱的内周,覆盖所述发光组件、所述第一限位柱、和部分所述基板的表面;

有机膜,覆盖位于所述第一限位柱内周的所述第一无机膜的表面;

第二无机膜,位于所述第二限位柱的内周,覆盖所述有机膜的表面和所述第一无机膜暴露的表面。

2.如权利要求1所述的薄膜封装器件,其特征在于,沿所述发光组件的出光方向,所述第一限位柱的高度大于所述发光组件的高度,所述第一无机膜的表面形成为适配所述发光组件的高度和所述第一限位柱的高度的凹凸形貌。

3.如权利要求2所述的薄膜封装器件,其特征在于,所述第一限位柱的内周对应所述有机膜的开口内周,所述第一限位柱用于限位所述有机膜的覆盖区域。

4.如权利要求1所述的薄膜封装器件,其特征在于,所述第二限位柱的高度大于所述第一限位柱的高度,所述第二限位柱的内周对应所述第一无机膜用掩膜板和所述第二无机膜用掩膜板的开口内周,所述第二限位柱用于限位所述第一无机膜和所述第二无机膜的覆盖区域。

5.如权利要求1所述的薄膜封装器件,其特征在于,所述第一限位柱的高度和所述第二限位柱的高度均小于位于所述发光组件上的所述有机膜的高度;

所述第一限位柱的高度小于3.5μm,所述第二限位柱的高度小于4.5μm。

6.如权利要求1所述的薄膜封装器件,其特征在于,沿所述基板从内到外的方向,所述第二限位柱的截面直径小于60μm。

7.如权利要求1所述的薄膜封装器件,其特征在于,所述第一无机膜和所述第二无机膜均为SiN或SiON,所述有机膜为丙烯酸类聚合物;

所述第一无机膜和所述第二无机膜的厚度均为1μm~2μm,所述有机膜的厚度为4μm~10μm。

8.如权利要求1所述的薄膜封装器件,其特征在于,还包括:

保护膜,覆盖所述第二无机膜和所述第二限位柱的表面。

9.一种薄膜封装器件的制作方法,其特征在于,包括:

提供一基板,在所述基板的表面形成发光组件区域、环绕所述发光组件区域外周的第一限位柱、和环绕所述第一限位柱外周的第二限位柱;

在所述第二限位柱的内周形成第一无机膜,使所述第一无机膜覆盖所述发光组件、所述第一限位柱、和部分所述基板的表面;

在所述第一限位柱内周形成有机膜,使所述有机膜覆盖部分所述第一无机膜的表面;以及

在所述第二限位柱的内周形成第二无机膜,使所述第二无机膜覆盖所述有机膜的表面和所述第一无机膜暴露的表面。

10.如权利要求9所述的制作方法,其特征在于,沿所述发光组件的出光方向,所述第一限位柱的高度大于所述发光组件的高度,所述第一无机膜的表面适配所述发光组件的高度和所述第一限位柱的高度,形成为凹凸形貌。

11.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,在所述第一限位柱内周形成有机膜的步骤包括:

在所述第一限位柱上方定义有机膜的开口内周,使所述有机膜的开口内周对应所述第一限位柱的内周;

在所述有机膜的开口内周喷墨打印有机材料,形成所述有机膜。

12.如权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述第二限位柱的高度大于所述第一限位柱的高度,在所述第二限位柱的内周形成第一无机膜的步骤包括:

在所述第二限位柱上方设置第一无机膜用掩膜板,使所述第一无机膜用掩膜板的开口内周对应所述第二限位柱的内周;

在所述第一无机膜用掩膜板的开口内沉积第一无机材料,形成所述第一无机膜。

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