[发明专利]薄膜封装器件及其制作方法

说明书

本发明提供一种薄膜封装器件及其制作方法，涉及显示器件的封装技术领域，用于减小薄膜封装时无机膜镀至显示器件边框的镀膜阴影，确保薄膜封装阻水特性的同时实现窄边框显示产品。本发明的薄膜封装器件包括：基板，表面设有发光组件、环绕发光组件外周的第一限位柱、和环绕第一限位柱外周的第二限位柱；第一无机膜，位于第二限位柱的内周，覆盖发光组件、第一限位柱、和部分基板的表面；有机膜，覆盖位于第一限位柱内周的第一无机膜的表面；第二无机膜，位于第二限位柱的内周，覆盖有机膜的表面和第一无机膜暴露的表面。本发明通过第一限位柱阻挡有机膜形成时的溢流，通过第二限位柱阻挡无机膜成膜时气流外扩，实现镀膜区域的有效控制。

技术领域

本发明涉及显示设备的封装技术领域，具体地说，涉及一种薄膜封装器件及其制作方法。

背景技术

显示设备，如OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)应市场需求，趋向窄边框、甚至全屏幕无边框发展。实现窄边框较为关键的是在缩小边框的同时确保薄膜封装阻水特性良好。

在薄膜封装过程中，掩膜板与待封装器件的贴合状况、成膜气流均有可能直接影响镀膜阴影。参照图1所示，镀膜时因掩膜板2’不与待封装器件1’直接接触，成膜时气流从掩膜板2’的开口20’扩散至掩膜板2’与待封装器件1’之间的间隙中，形成镀膜阴影3’。后续形成显示器件时，若切割边框处形成镀膜阴影3’，则切割道容易产生异物内冲，热熔范围大，从而影响模组工艺段良率。另外，薄膜被切割容易产生裂纹延伸，影响边缘的阻水特性。若保留镀膜阴影3’，则影响窄边框的实现。

需要说明的是，在上述背景技术部分申请的信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜封装器件及其制作方法，可以减小薄膜封装时扩散在显示器件边框的镀膜阴影，确保薄膜封装阻水特性的同时实现窄边框显示产品。

根据本发明的一个方面，提供一种薄膜封装器件，包括：基板，所述基板的表面设有发光组件、环绕所述发光组件外周的第一限位柱、和环绕所述第一限位柱外周的第二限位柱；第一无机膜，位于所述第二限位柱的内周，覆盖所述发光组件、所述第一限位柱、和部分所述基板的表面；有机膜，覆盖位于所述第一限位柱内周的所述第一无机膜的表面；第二无机膜，位于所述第二限位柱的内周，覆盖所述有机膜的表面和所述第一无机膜暴露的表面。

优选地，上述的薄膜封装器件中，沿所述发光组件的出光方向，所述第一限位柱的高度大于所述发光组件的高度，所述第一无机膜的表面形成为适配所述发光组件的高度和所述第一限位柱的高度的凹凸形貌。

优选地，上述的薄膜封装器件中，所述第一限位柱的内周对应所述有机膜的开口内周，所述第一限位柱用于限位所述有机膜的覆盖区域。

优选地，上述的薄膜封装器件中，所述第二限位柱的高度大于所述第一限位柱的高度，所述第二限位柱的内周对应所述第一无机膜用掩膜板和所述第二无机膜用掩膜板的开口内周，所述第二限位柱用于限位所述第一无机膜和所述第二无机膜的覆盖区域。

优选地，上述的薄膜封装器件中，所述第一限位柱的高度和所述第二限位柱的高度均小于位于所述发光组件上的所述有机膜的高度；所述第一限位柱的高度小于3.5μm，所述第二限位柱的高度小于4.5μm。

优选地，上述的薄膜封装器件中，沿所述基板从内到外的方向，所述第二限位柱的截面直径小于60μm。

优选地，上述的薄膜封装器件中，所述第一无机膜和所述第二无机膜均为SiN或SiON，所述有机膜为丙烯酸类聚合物；所述第一无机膜和所述第二无机膜的厚度均为1μm～2μm，所述有机膜的厚度为4μm～10μm。

优选地，上述的薄膜封装器件还包括：保护膜，覆盖所述第二无机膜和所述第二限位柱的表面。