[发明专利]一种覆盖膜开窗工艺在审
| 申请号： | 201910376667.4 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110139496A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 杨仕德;胥海兵;史继红;吕剑;朱远方;刘扬;吕柏平;郑绍东;潘辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市新宇腾跃电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/28 | 分类号： | H05K3/28;H05K3/26 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 覆盖膜 开窗 压合 电路板 激光开窗 溢胶 电路板表面 激光照射 冲切 焊盘 气化 贴合 加工 | ||
1.一种覆盖膜开窗工艺，其特征在于，包括如下步骤，
设置电路板以及覆盖膜；
将覆盖膜贴合于电路板表面并进行压合；
利用激光照射覆盖膜的设定位置边缘进行开窗。
2.根据权利要求1所述的覆盖膜开窗工艺，其特征在于，所述开窗步骤中，激光光斑直径为40um，激光光斑边缘与焊盘边缘距离0-5um，相邻路径内的激光光斑之间重叠5-20um。
3.根据权利要求1所述的覆盖膜开窗工艺，其特征在于，所述开窗步骤前，对电路板进行定位。
4.根据权利要求1所述的覆盖膜开窗工艺，其特征在于，对完成开窗后的电路板，在设定的真空度、时间及温度下进行等离子清洗。
5.根据权利要求4所述的覆盖膜开窗工艺，其特征在于，所述等离子清洗步骤包括第一清洗步骤及第二清洗步骤，所述第一清洗步骤为：在T1温度下以及真空度为A1的条件下，利用流量为D1的氧气对电路板进行清洗B1的时间；所述第二清洗步骤为：在T2及真空度A2条件下，利用流量为D2的CF4及流量为D3的氧气对电路板进行清洗B2的时间。
6.根据权利要求5所述的覆盖膜开窗工艺，其特征在于，所述等离子清洗步骤还包括第三清洗步骤，所述第三清洗步骤为：在T3温度下以及真空度为A1的条件下，利用流量为D1的氧气对电路板进行清洗B3的时间。
7.根据权利要求1所述的覆盖膜开窗工艺，其特征在于，在压合步骤前，对电路板进行清洗。
8.根据权利要求1所述的覆盖膜开窗工艺，其特征在于，贴覆盖膜前在电路板的表面进行蚀刻线路操作。
9.根据权利要求1所述的覆盖膜开窗工艺，其特征在于，贴覆盖膜前对覆盖膜进行开料及钻孔。
10.根据权利要求1至9任一项所述的覆盖膜开窗工艺，其特征在于，在开窗步骤前，在覆盖膜的设定开窗位置进行冲切。
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