[发明专利]一种超低K介质层及其制备方法有效
| 申请号： | 201910378715.3 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110085512B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 贡祎琪 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介质 及其 制备 方法 | ||
1.一种超低K介质层的制备方法，所述制备方法包括：
在衬底上形成超低K介质层；
在所述超低K介质层上表面形成薄氧层；以及
采用氧气对形成所述薄氧层后的所述超低K介质层执行等离子体净化；其中
所述等离子体净化持续超过2秒钟；
控制所述薄氧层的厚度，以使得氧气离子能够穿过所述薄氧层去除所述超低K介质层上表面的凸起缺陷，并阻挡所述氧气离子对所述超低K介质层的过刻蚀。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体净化持续4-20秒钟。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体净化持续15秒钟。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述薄氧层的厚度为10埃。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用二乙氧基甲基硅烷、α-松油烯和氧气形成所述薄氧层。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用二乙氧基甲基硅烷和α-松油烯形成所述超低K介质层；其中
形成所述薄氧层所采用的二乙氧基甲基硅烷和α-松油烯的流量小于形成所述超低K介质层所采用的二乙氧基甲基硅烷和α-松油烯的流量。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，形成所述薄氧层所采用的二乙氧基甲基硅烷的流量为400sccm，所采用的α-松油烯的流量为200sccm，以及所采用的氧气的流量为450sccm。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述超低K介质层、形成所述薄氧层以及执行所述等离子体净化的步骤在同一反应腔室中连续进行。
9.一种采用如权利要求1-8中任一项所述制备方法制备的超低K介质层。
10.一种包含如权利要求9所述的超低K介质层的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
