[发明专利]电容器组件和用于制造电容器组件的方法

权利要求书

1.一种用于制造电容器组件的方法，所述方法包括：

在中等或更强的氢还原气氛下对层叠有其上印刷有内电极的多个介电层的主体进行烧结的操作；

在氧化气氛下对烧结的所述主体进行第一再氧化热处理的第一再氧化操作；以及

在氧化气氛下对经过所述第一再氧化热处理的所述主体进行第二再氧化热处理的第二再氧化操作，并且

其中，经过所述第二再氧化热处理的所述主体包括电容形成部、覆盖部以及边缘部，所述电容形成部包括内电极且介电层介于所述内电极之间以形成电容，所述覆盖部设置在所述电容形成部的上表面和下表面上并且包括多个孔，所述边缘部设置在所述电容形成部的侧表面上，并且

所述多个孔中的80％或更多填充有玻璃，并且所述多个孔中的每个孔的直径在1μm至2μm的范围内，

其中，所述中等或更强的氢还原气氛是氮气与大于等于1％且小于等于2％的氢气混合的气体气氛。

2.根据权利要求1所述的用于制造电容器组件的方法，其中，在800℃至1200℃的温度下执行所述第一再氧化热处理和所述第二再氧化热处理中的每个再氧化热处理。

3.根据权利要求1所述的用于制造电容器组件的方法，其中，执行所述第一再氧化热处理和所述第二再氧化热处理中的每个再氧化热处理达8小时至12小时的持续时间。

4.根据权利要求1所述的用于制造电容器组件的方法，其中，所述氧化气氛是氮气与大于0％且小于等于0.1％的氢气混合的气体气氛或者氮气与大于0％且小于等于0.01％的氧气混合的气体气氛。

5.根据权利要求1所述的用于制造电容器组件的方法，所述方法还包括在所述第二再氧化热处理之前对经过所述第一再氧化热处理的所述主体进行冷却的操作。

6.根据权利要求1所述的用于制造电容器组件的方法，其中，在1000℃至1200℃的温度下执行所述烧结操作。

7.根据权利要求1所述的用于制造电容器组件的方法，其中，在比所述第一再氧化热处理和所述第二再氧化热处理的温度高的温度下执行所述烧结操作。

8.根据权利要求1所述的用于制造电容器组件的方法，其中，所述多个孔中的90％或更多填充有所述玻璃。

9.一种电容器组件，所述电容器组件包括：

主体，包括介电层以及彼此相对的第一内电极和第二内电极，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，并且所述主体具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且彼此相对的第五表面第六表面；以及

第一外电极和第二外电极，分别设置在所述主体的外侧上并分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极，

其中，所述主体包括电容形成部、覆盖部以及边缘部，所述电容形成部包括彼此相对的所述第一内电极和所述第二内电极且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间以形成电容，所述覆盖部设置在所述电容形成部的上表面和下表面上并且包括多个孔，所述边缘部设置在所述电容形成部的侧表面上，并且

所述多个孔中的80％或更多填充有玻璃，并且所述多个孔中的每个孔的直径在1μm至2μm的范围内。

10.根据权利要求9所述的电容器组件，其中，所述玻璃包括从氧化硅、氧化铝和它们的复合氧化物中选择的至少一种。

11.根据权利要求9所述的电容器组件，其中，所述覆盖部具有1000kgf/mm2或更大的硬度。

12.根据权利要求9所述的电容器组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个内电极的厚度小于1μm，并且所述介电层的厚度小于2.8μm。