[发明专利]一种单馈双圆极化微带天线在审
申请号: | 201910380889.3 | 申请日: | 2019-05-08 |
公开(公告)号: | CN110190387A | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 吴祖兵;郭凡玉;颜微;张琳;王建伟;王新辉 | 申请(专利权)人: | 成都天锐星通科技有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q15/24 |
代理公司: | 四川雅图律师事务所 51225 | 代理人: | 卢蕊 |
地址: | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微带天线 馈电缝隙 馈电结构 馈电网络 双圆极化 圆极化 单馈 对角线 导体材料层 垂直相交 导体材料 辐射贴片 幅度相等 技术效果 矩形形状 馈电介质 天线损耗 信号模式 信号收发 馈电层 天线层 相位差 正交的 减小 切去 投影 天线 增设 申请 | ||
1.一种单馈双圆极化微带天线,其特征在于,包括:
天线层,包括天线介质基片与设置在所述天线介质基片一侧表面上的辐射贴片,所述辐射贴片为切去处于一对角线上的两个直角的矩形形状;
馈电层,贴附设置在所述天线介质基片的另一侧表面上,包括馈电介质层、以及分别贴附设置在所述馈电介质层两侧表面上的第一馈电层和第二馈电层,所述第一馈电层为包括至少两个H形馈电缝隙的导体材料层,所述第二馈电层包括由导体材料构成的至少两个T形馈电结构,所述至少两个T形馈电结构在所述第一馈电层上的投影与所述至少两个H形馈电缝隙分别一一对应相交,且所述T形馈电结构的横臂与对应相交的H形馈电缝隙的横臂平行且不重叠,所述第一馈电层处于所述天线介质基片和所述馈电介质层之间;
其中,所述至少两个H形馈电缝隙中的每相邻两个H形馈电缝隙之间的横臂互相垂直,和/或所述至少两个T形馈电结构中的每相邻两个T形馈电结构之间的横臂互相垂直。
2.如权利要求1所述的微带天线,其特征在于,所述馈电层还包括:
至少四个第一金属通孔,设置在所述馈电介质层与所述第二馈电层的边缘位置,以将所述至少两个T形馈电结构包围在内。
3.如权利要求1所述的微带天线,其特征在于,所述馈电层还包括:
至少一个第二金属通孔,设置在所述馈电介质层与所述第二馈电层的内部,且位于每相邻两个T形馈电结构之间。
4.权利要求1-3任一权利要求所述的微带天线,其特征在于,所述馈电介质层为微波介质基片或陶瓷片。
5.如权利要求1所述的微带天线,其特征在于,所述天线层包括:
第一辐射层,包括第一介质基片和设置在所述第一介质基片表面上的第一辐射贴片;
第二辐射层,贴附设置在所述第一介质基片另一侧表面上,包括第二介质基片和设置在所述第二介质基片表面上的第二辐射贴片;
其中,所述第二辐射贴片处于所述第一介质基片与所述第二介质基片之间,所述第一辐射贴片的面积大于所述第二辐射贴片的面积,所述第二辐射贴片投影在所述第一辐射贴片中的面积大于等于第二面积,所述第二面积为所述第二辐射贴片面积的一半。
6.如权利要求1所述的微带天线,其特征在于,所述第一辐射贴片为切去处于第一对角线上的两个直角的矩形形状,所述第二辐射贴片为切去处于第二对角线上的两个直角的矩形形状,所述第一对角线与所述第二对角线平行;
其中,所述第一辐射贴片与所述第二辐射贴片的边长比例一致,且布置方向一致。
7.如权利要求6所述的微带天线,其特征在于,所述第一辐射贴片的两条切边与所述第二辐射贴片的两条切边平行。
8.如权利要求1所述的微带天线,其特征在于,所述导体材料为铜材料,和/或镀银材料。
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