[发明专利]封装结构、管芯及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910381673.9 申请日: 2019-05-08
公开(公告)号: CN111128904A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 陈威宇;苏安治;叶德强;曾华伟;黄立贤;叶名世 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/535;H01L23/528
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 康艳青;姚开丽
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 管芯 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构,其特征在于,包括:

管芯,具有连接件,所述连接件包括:

晶种层;以及

导电柱,位于所述晶种层上,其中所述晶种层延伸超出所述导电柱的侧壁;

包封体,位于所述管芯的侧边,包封所述管芯的侧壁;

重布线层结构,电连接到所述管芯;以及

导电端子,经由所述重布线层结构电连接到所述管芯。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述晶种层包括基脚部,且所述基脚部侧向突出于所述导电柱的所述侧壁。

3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述管芯还包括保护层,所述保护层侧向环绕所述连接件,所述基脚部的顶表面及侧壁被所述管芯的所述保护层覆盖。

4.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述基脚部的顶表面及侧壁被所述包封体覆盖。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述晶种层包括第一晶种子层以及位于所述第一晶种子层上的第二晶种子层,且所述晶种层的边缘包括台阶状结构。

6.一种管芯,其特征在于,包括:

衬底;

接垫,位于所述衬底之上;以及

连接件,电连接到所述接垫,包括:

晶种层,位于所述接垫上;以及

导电柱,位于所述晶种层上,

其中所述晶种层包括基脚部,且所述基脚部在所述衬底的顶表面上的投影环绕所述导电柱在所述衬底的所述顶表面上的投影。

7.根据权利要求6所述的管芯,其特征在于,所述晶种层的所述基脚部被所述导电柱暴露出。

8.一种形成封装结构的方法,其特征在于,包括:

形成管芯,包括:

在接垫上形成电连接到所述接垫的连接件,包括:

在所述接垫上形成晶种层;

在所述晶种层上形成导电柱;

在所述导电柱上形成测试接垫;

通过所述测试接垫执行电测试;以及

执行刻蚀工艺以移除所述测试接垫,其中所述导电柱在所述刻蚀工艺期间被消耗,使得所述晶种层的基脚部侧向突出于所述导电柱的侧壁;

在所述管芯侧边形成包封体,以包封所述管芯的侧壁;

在所述管芯及所述包封体上形成重布线层结构;以及

形成导电端子,所述导电端子经由所述重布线层结构电连接到所述管芯。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在所述刻蚀工艺期间,所述测试接垫对所述导电柱的刻蚀选择比小于所述测试接垫对所述晶种层的刻蚀选择比。

10.根据权利要求8所述的形成封装结构的方法,其特征在于,

在执行所述刻蚀工艺之前,所述晶种层的第一宽度小于所述导电柱的第一宽度;以及

在执行所述刻蚀工艺之后,所述晶种层的第二宽度大于所述导电柱的第二宽度。

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