[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910383561.7 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111009490A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 朴志云;李珍秀;丁炯硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：
在基板上形成三维结构；
形成吸附控制层以覆盖所述三维结构的上部分；以及
在所述吸附控制层上和在所述三维结构的没有被所述吸附控制层覆盖的下部分上形成材料层，
其中在所述吸附控制层上的所述材料层的最小厚度小于在所述三维结构的所述下部分上的所述材料层的最大厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸附控制层包括二维材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述吸附控制层包括石墨烯。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述吸附控制层直接形成在所述三维结构的所述上部分上。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述材料层使用原子层沉积工艺形成。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述三维结构被与其相邻的多个三维结构围绕。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸附控制层的厚度朝向所述三维结构的所述下部分减小。
8.根据权利要求7所述的方法，其中在所述吸附控制层上的所述材料层的厚度朝向所述三维结构的所述下部分增大。
9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述三维结构的所述下部分上的所述材料层的厚度朝向所述三维结构的所述上部分增大。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述三维结构包括电容器的下电极和在所述下电极上的电介质层，以及
所述材料层包括所述电容器的上电极。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述三维结构具有柱形状。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述三维结构具有有底部的中空柱形状。
13.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：
形成具有柱形状的下电极；
在所述下电极的上部分上形成电介质层的第一部分并在所述下电极的下部分上形成所述电介质层的第二部分；
在所述电介质层的所述第一部分上形成吸附控制层；以及
在所述吸附控制层上和在所述电介质层的所述第二部分上形成上电极，
其中所述上电极在所述吸附控制层的上端上的生长速率低于所述上电极在所述电介质层的所述第一部分和所述第二部分之间的边界上的生长速率。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述吸附控制层具有导电性。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述吸附控制层不形成在所述电介质层的所述第二部分上。
16.根据权利要求13所述的方法，其中所述吸附控制层的生长速率朝向所述下电极的所述下部分减小。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述上电极在所述吸附控制层上的生长速率朝向所述下电极的所述下部分增大。
18.根据权利要求13所述的方法，其中所述上电极在所述电介质层的所述第二部分上的生长速率朝向所述下电极的所述上部分增大。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910383561.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多孔陶瓷的制备方法
- 下一篇：一种多功能电类测试仪校准装置及其校准方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
