[发明专利]薄膜电晶体及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜电晶体的制作方法，所述方法包括：

步骤1、在一衬底基板上设置栅极层、绝缘层、非晶硅层、金属层、铜导线层及光阻层；

步骤2、对第一区域外之所述铜导线层及所述金属层进行湿刻蚀；

步骤3、对所述光阻层进行干刻蚀，形成一底部为所述铜导线层之沟道，并在所述沟道处形成一氧化保护层；

步骤4、对所述非晶硅层进行干刻蚀，形成有源层；

步骤5、对所述沟道处之所述氧化保护层、所述铜导线层和所述金属层进行湿刻蚀，形成源漏极；

其中，步骤3之所述光阻层刻蚀后之边缘与所述铜导线层之边缘切齐。

2.根据权利要求1所述之薄膜电晶体的制作方法，其中，步骤1之所述金属层之材料可选为Mo、Ti、MoTi、MoTa、MoNb或MoW。

3.根据权利要求1所述之薄膜电晶体的制作方法，其中，步骤2、5之刻蚀液体包括铜酸刻蚀剂。

4.根据权利要求1所述之薄膜电晶体的制作方法，其中，步骤4之刻蚀气体包括O₂，Cl₂以及NF₃、SF₆、CHF₃、CF₄之其中一种或两种以上。

5.根据权利要求1所述之薄膜电晶体的制作方法，其中，所述氧化保护层的形成方式为：以等离子氧化法处理所述铜导线层表面。

6.根据权利要求1所述之薄膜电晶体的制作方法，其中，所述氧化保护层的形成方式为：将所述沟道处的所述铜导线层加热至至少200摄氏度，再通过压缩空气冷却。

7.一种根据权利要求1所述的方法制作的薄膜电晶体，包括：一衬底基板；

一栅电极，位于所述衬底基板上；

一绝缘层，位于所述栅电极上；

一有源层，位于所述绝缘层上；

一源极/漏极，位于所述有源层之上，所述源极和所述漏极之间存在一沟道；

其中，所述沟道底部表面为干净的所述有源层，无其他金属或金属化合物残留。

8.根据权利要求7所述之薄膜电晶体，其中，所述有源层之一边缘与所述源极之外边缘切齐，所述有源层之另一边缘与所述漏极之外边缘切齐。