[发明专利]薄膜电晶体及其制作方法

说明书

一种薄膜电晶体和其制作方法，包括：在一补底基板形成栅级层、绝缘层、非晶硅层、金属层、铜导线层以及光阻层。在制作有源层之前先对所述光阻层进行干刻蚀，形成一底部为所述铜导线层之沟道，同时使所述光阻层之边缘与所述金属层之边缘切齐，防止所述光阻层阻碍刻蚀气体对所述有源层刻蚀，提高了薄膜电晶体之开口率以及良率。在所述沟道处形成一氧化保护层，防止所述铜导线层与刻蚀气体反应形成化合物，使得后续能够得到较干净的沟道，提高了薄膜电晶体之良率。

技术领域

本发明涉及一种显示领域技术，尤其涉及一种薄膜电晶体及其制作方法。

背景技术

随着显示技术领域的进步，人们对于液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)以及有机发光二级体(Organic Light Emitting Diode,OLED)等平板显示器的要求也越来越高，显示面板为LCD及OLED的重要组成部份，以LCD为例，通常具有一薄膜电电晶体(ThinFilm Transistor,TFT)及一彩色滤光片(Color Filter,CF)及两基板中间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所组成，其工作原理是通过在TFT基板以及CF基板上施加电压来改变液晶层中液晶分子的旋转方向将背光模组的光线折射出来产生画面。

现有技术中，TFT基板主要的组成为栅电极层、绝缘层、有源层、源漏极层以及像素电极层，其中，在制作所述有源层的过程中会运用到干刻蚀工艺对所述有源层之材料非晶硅层进行刻蚀，如图1所示，此时向外突出的光阻层20会阻碍干刻蚀气体对非晶硅层21进行刻蚀，使刻蚀过后之所述非晶硅层21同样向外凸出，导致寄生电容产生在所述非晶硅层21上，降低了TFT的良率。

发明内容

鉴于现有技术的不足，本发明揭露了一种TFT和一种TFT的制备方法，在对非晶硅层进行干刻蚀前，先对光阻层进行刻蚀，降低所述光阻层整体厚度，并使所述光阻层边缘和铜导线层边缘距离减小，使所述非晶硅层在被刻蚀时不会被光阻所阻挡，避免产生寄生电容，提升了TFT的品质。

具体方法如下：

一种TFT的制作方法，包括：在一衬底基板上设置栅极层、绝缘层、非晶硅层、金属层、铜导线层及光阻层；对第一区域外之所述衬底基板进行第一次湿刻蚀，将第一区域外之所述金属层及所述铜导线层刻蚀；对所述衬底基板进行第一次干刻蚀，将所述光阻层刻蚀，使整体所述光阻层变薄，并在所述第一区域内形成一底部为所述铜导线层之沟道；在所述沟道形成一氧化保护层；对所述衬底基板进行第二次干刻蚀，将所述非晶硅层刻蚀，形成有源层；对所述衬底基板进行第二次湿刻蚀，将所述第一区域内之所述氧化薄膜层、所述铜导线层和所述金属层进行刻蚀，形成源漏极层。

其中，所述金属层之材料可选为Mo、Ti、MoTi、MoTa、MoNb、MoW。

其中，所述沟道之所述氧化保护层制作方式为等离子氧化法或将所述沟道处的所述铜导线层加热至至少200摄氏度后，再通过压缩空气冷却。

其中，在第一次干刻蚀后，所述光阻层之边缘与所述铜导线层之边缘切齐。

其中，所述第一次湿刻蚀使用之刻蚀液体为铜酸刻蚀剂。

其中，所述第二次湿刻蚀使用之刻蚀液体为铜酸刻蚀剂。

其中，所述第二次干刻蚀使用之刻干刻蚀气体包括O₂，Cl₂以及NF₃、SF₆、CHF₃、CF₄之其中一种或两种以上。

为了解决上述问题，本发明还提供一种TFT，包括：

一衬底基板；

一栅电极，位于所述衬底基板上；

一绝缘层，位于所述栅电极上；