[发明专利]一种OLED电子传输材料NBphen的制备方法

说明书

本发明公开了一种OLED电子传输材料NBphen的制备方法。该制备方法包括：(1)在保护气体和第一有机溶剂的存在下，将2‑溴萘和金属锂进行接触反应，得到2‑锂萘有机溶液；(2)在保护气体存在下，将Bphen有机溶液和2‑锂萘有机溶液进行接触反应，得到反应混合物；(3)将反应混合物与水进行水解反应，得到油水混合物；(4)萃取油水混合物的水层中的有机相，然后将有机相与氧化剂进行接触反应，得到所述NBphen。本发明的方法无需冷却到‑78℃，反应更加方便且节约能源；反应的安全性高，便于进行大批量制备。

技术领域

本发明属于电子传输材料合成技术领域，更具体地，涉及一种OLED电子传输材料NBphen的制备方法。

背景技术

近年来，有机发光二极管(organic light-emitting diodes,OLED)为代表的有机光电材料显示出巨大的商业化应用前景，被广泛地应用于平板显示和照明领域[J.Smith,E.Bawolek,Y.K.Lee,Electron.Lett.,2015,51(17),1312.]，引起学术界和产业界的广泛关注。有机发光材料是OLED器件构筑的重要组成部分，新型高效率有机发光材料的开发对于OLED器件性能的提高起着决定性的作用[陈斌,赵祖金,唐本忠.科学通报，2016,61(32),3435.]。

早期的OLED器件通常采用单层结构，电子传输、空穴传输及发光材料集中于一种材料中，亮度极低。1987年，邓青云研究组引入双层器件，采用Alq₃作为电子传输兼做发光层，TPD为空穴传输层，器件在小于10V的低驱动电压下亮度超过1000cd/m²[C.W.Tang,S.A.Vanslyke,Appl.Phys.Lett.,1987,51(12),913.]。1988年，日本又提出3层结构，器件的电子传输、发光、空穴传输各由不同的材料组成[C.Adachi,S.Tokito,T.Tsutsui,JpnJ.Appl.Phys.,1988,27(2),L269.]。时至今日，随着各种掺杂手段和新材料的应用，研究者能够发展出更多样化的器件结构，从而极大地提高OLED的发光性能，在金属电极与ITO之间可以有电子注入层、电子传输层、有机发光层、空穴传输层、空穴注入层等。

在OLED器件中，大部分空穴传输材料的迁移率为10^-3～10^-4cm²/(V·s)，而电子传输材料的迁移率通常为10^-4～10^-6cm²/(V·s)[Z.Q.Zhang,Q.Wang,Y.F.Dai,Org.Electron.,2009,10(3),491.]。电子传输材料的电子迁移率偏低、传输能力差、与传输能力较强的空穴材料不匹配是造成器件效率低下、稳定性差的主要原因之一。为了增强电子传输能力，构建电子与空穴的平衡，从而提高OLED器件性能，就要求使用迁移率更高、性能更稳定的电子传输材料，并且构建结构合理、能级匹配的电子传输层。

用来制作电子传输层的材料必须具备高的制膜安定性、热稳定性和电子传输性。常见的电子传输材料包括Alq₃、Liq、PBD、Bebq、TAZ、Bphen等，其化学结构分别如下式1所示。近期的研究表明，采用Bphen与其它材料掺杂后作为电子传输层的器件与传统器件相比，亮度提高3.5倍，电流效率提高1.1～2.5倍[袁桃利,王秀峰,牟强.发光学报，2017,38(8),1069.]，说明Bphen及其衍生物是一类优良的电子传输材料。