[发明专利]三维半导体存储器装置

权利要求书

1.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：

栅电极和模制绝缘层，交替地堆叠在基底上；

沟道层，贯穿所述栅电极和所述模制绝缘层；以及

栅极介电层，位于所述栅电极与所述沟道层之间，

其中，所述栅极介电层和所述沟道层位于所述基底的上部中，以第一角度弯曲，并且在所述基底的所述上部中在所述模制绝缘层下方延伸。

2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述第一角度为90度或更小。

3.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述栅极介电层与所述模制绝缘层之中的最低的模制绝缘层的下表面接触。

4.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述栅极介电层和所述沟道层朝向所述基底的下表面再次以第二角度弯曲。

5.根据权利要求4所述的三维半导体存储器装置，其中，所述第二角度小于90度。

6.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述栅极介电层的位于所述基底的所述上部中的部分具有与所述基底的所述上部接触的倾斜表面。

7.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述第一角度大于90度。

8.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述栅极介电层的位于所述基底的所述上部中的部分具有与所述基底的所述上部接触的凸起球形表面。

9.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述沟道层贯穿所述栅极介电层以与所述基底接触，并且具有比所述栅极介电层的下端进一步向下突出的端部。

10.根据权利要求9所述的三维半导体存储器装置，其中，所述端部包括倾斜表面。

11.根据权利要求10所述的三维半导体存储器装置，其中，所述端部的至少一部分的宽度比所述栅极介电层的开口的宽度宽。

12.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：

栅电极和模制绝缘层，交替地堆叠在基底上；以及

沟道结构，贯穿所述栅电极和所述模制绝缘层，并且位于所述基底的上部中的凹槽中，

其中，所述沟道结构的宽度朝向所述基底逐渐减小，并且在所述基底的所述上部中再次增大。

13.根据权利要求12所述的三维半导体存储器装置，其中，所述沟道结构包括贯穿所述栅电极和所述模制绝缘层的栅极介电层和沟道层，并且

其中，所述栅极介电层共形地覆盖所述凹槽的表面并且在所述凹槽中具有开口，所述沟道层通过所述栅极介电层的所述开口与所述基底接触。

14.根据权利要求13所述的三维半导体存储器装置，其中，所述栅极介电层弯曲并且在所述基底的所述上部中在所述模制绝缘层下方延伸。

15.根据权利要求13所述的三维半导体存储器装置，其中，所述沟道结构的位于所述凹槽中的表面包括相对于所述基底的所述上表面的倾斜表面。

16.根据权利要求13所述的三维半导体存储器装置，其中，所述沟道结构的位于所述凹槽中的表面包括弯曲表面。

17.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：

基底，具有凹槽；

栅电极和模制绝缘层，交替地堆叠在所述基底上；

沟道孔，贯穿所述栅电极和所述模制绝缘层；以及

沟道结构，位于所述沟道孔中并位于所述基底的所述凹槽中，

其中，所述凹槽的至少一部分的宽度比所述沟道孔的下部的宽度宽。