[发明专利]三维半导体存储器装置

说明书

提供一种三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置包括：栅电极和模制绝缘层，交替地堆叠在基底上；沟道层，贯穿栅电极和模制绝缘层；以及栅极介电层，位于栅电极与沟道层之间。栅极介电层和沟道层可以位于基底的上部中，并且可以以第一角度弯曲且在基底的上部中在模制绝缘层下方延伸。

本申请要求于2018年7月18日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0083581号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种三维半导体存储器装置。

背景技术

电子产品即使在体积变小时仍要求较高容量的数据处理。因此，提高这样的电子产品中使用的半导体存储器装置的集成度是有用的。作为改善半导体存储器装置的集成度的一种方法，已经提出了一种包括具有竖直晶体管结构而不是传统平面晶体管结构的存储器单元的半导体存储器装置。

发明内容

本发明构思的示例实施例是提供了一种有利于更高集成度的三维半导体存储器装置。

本发明构思的示例实施例是提供了一种制造有利于更高集成度的三维半导体存储器装置的方法。

根据本发明构思的示例实施例，三维半导体存储器装置包括：栅电极和模制绝缘层，交替地堆叠在基底上；沟道层，贯穿栅电极和模制绝缘层；以及栅极介电层，位于栅电极与沟道层之间。栅极介电层和沟道层可以位于基底的上部中，并且可以以第一角度弯曲且在基底的上部中在模制绝缘层下方延伸。

根据本发明构思的示例实施例，三维半导体存储器装置包括：栅电极和模制绝缘层，交替地堆叠在基底上；以及沟道结构，贯穿栅电极和模制绝缘层，并且插入到位于基底的上部中的凹槽中。沟道结构的宽度可以朝向基底逐渐减小，并且可以在基底的上部中再次增大。

根据本发明构思的示例实施例，三维半导体存储器装置包括：基底，基底中形成有凹槽；栅电极和模制绝缘层，交替地堆叠在基底上；沟道孔，贯穿栅电极和模制绝缘层；以及沟道结构，位于沟道孔中，并且插入到基底的凹槽中。凹槽的至少一部分的宽度可以比沟道孔的下部的宽度宽。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本发明的以上和其它方面、特征及优点，在附图中：

图1是根据本发明构思的一些实施例的三维半导体存储器装置的示意性框图；

图2是概念性地示出根据本发明构思的一些实施例的三维半导体存储器装置的存储器单元阵列区域的电路图；

图3是示意性地示出根据本发明构思的一些实施例的三维半导体存储器装置的透视图；

图4A至图4F是示意性地示出根据本发明构思的一些实施例的三维半导体存储器装置的一部分(图3中的区域A)的剖视图；

图5A和图5B是示意性地示出根据本发明构思的一些实施例的三维半导体存储器装置的一部分(图3中的区域B)的剖视图；

图6A至图6J是示意性地示出根据本发明构思的一些实施例的制造三维半导体存储器装置的方法的剖视图；

图7是示意性地示出根据本发明构思的一些实施例的制造三维半导体存储器装置的方法的剖视图；

图8是示意性地示出根据本发明构思的一些实施例的三维半导体存储器装置的透视图；以及

图9是示意性地示出根据本发明构思的一些实施例的三维半导体存储器装置的透视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图描述本发明构思的示例实施例。

图1是根据本发明构思的一些实施例的三维半导体存储器装置的示意性框图。