[发明专利]闪存控制器、管理闪存模块的方法及相关的电子装置有效
申请号: | 201910389135.4 | 申请日: | 2019-05-10 |
公开(公告)号: | CN111399751B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 林文生 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F11/10;G06F12/16 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 控制器 管理 模块 方法 相关 电子 装置 | ||
1.一种闪存控制器,用来存取一闪存模块,所述闪存模块包括了多个第一区块以及多个第二区块,所述闪存控制器的特征在于,包括有:
一只读存储器,用来存储一程序码;以及
一微处理器,用来执行所述程序码以控制对所述闪存模块的存取;
其中当所述闪存控制器上电时,若是所述闪存控制器需要将数据写入至所述闪存模块时,所述微处理器仅会将所述数据写入至所述多个第一区块中;以及直到所述闪存控制器上电后所写入的第一区块的数量高于一临界值时,所述微处理器才会将后续数据写入至所述多个第二区块中;
其中所述多个第一区块为单层式存储区块,且所述多个第二区块为双层式存储区块、三层式存储区块或是四层式存储区块;
其中若是所述闪存控制器在上电之前最后一个写入的区块为所述多个第二区块中的一特定第二区块,且所述特定第二区块尚有剩余的数据页可供写入,则当所述闪存控制器上电时,若是所述闪存控制器需要将数据写入至所述闪存模块时,微处理器仍然会将所述数据写入至所述多个第一区块中;
其中在所述闪存控制器在上电之前发生不正常断电,且当所述闪存控制器上电时,所述微处理器将所述特定第二区块中可以成功解码的至少一部分数据页的数据搬移至所述多个第一区块中,并将与无法成功解码的数据页属于同一字线组或是相邻字线组的空白数据页写入无效数据。
2.如权利要求1所述的闪存控制器,其特征在于,直到所述闪存控制器上电后所写入的第一区块的数量高于所述临界值时,所述微处理器根据所述后续数据的数据量以决定将所述后续数据写入至所述多个第一区块或是所述多个第二区块中。
3.如权利要求2所述的闪存控制器,其特征在于,当所述后续数据被判断为低数据量时,所述微处理器将所述后续数据写入至所述多个第一区块;以及当所述后续数据被判断为高数据量时,所述微处理器将所述后续数据写入至所述多个第二区块。
4.一种闪存控制器,用来存取一闪存模块,所述闪存模块包括了多个第一区块以及多个第二区块,所述闪存控制器的特征在于,包括有:
一只读存储器,用来存储一程序码;以及
一微处理器,用来执行所述程序码以控制对所述闪存模块的存取;
其中当所述闪存控制器上电时,若是所述闪存控制器需要将数据写入至所述闪存模块时,所述微处理器仅会将所述数据写入至所述多个第一区块中;以及直到所述闪存控制器上电后所写入的第一区块的数量高于一临界值时,所述微处理器才会将后续数据写入至所述多个第二区块中;
其中所述临界值为一变动值,且所述微处理器根据所述闪存控制器在上电前所设定的一前一临界值、以及所述闪存控制器在上电前一操作区间内所写入的一区块总数,以产生所述临界值;
其中所述多个第一区块为单层式存储区块,且所述多个第二区块为双层式存储区块、三层式存储区块或是四层式存储区块。
5.如权利要求4所述的闪存控制器,其特征在于,若是所述区块总数高于所述前一临界值,则所述微处理器设定所述临界值高于所述前一临界值;以及若是所述区块总数低于所述前一临界值,则所述微处理器设定所述临界值低于所述前一临界值。
6.如权利要求5所述的闪存控制器,其特征在于,所述临界值具有一上限值以及一下限值,且若是所述区块总数高于所述前一临界值,且所述区块总数低于所述上限值,则所述微处理器设定所述临界值为所述区块总数;以及若是所述区块总数高于所述前一临界值,且所述区块总数高于所述上限值,则所述微处理器设定所述临界值为所述上限值。
7.如权利要求5所述的闪存控制器,其特征在于,所述临界值具有一上限值以及一下限值,且若是所述区块总数低于所述前一临界值,则所述微处理器设定所述临界值低于所述前一临界值,但所述临界值不低于所述下限值。
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