[发明专利]闪存控制器、管理闪存模块的方法及相关的电子装置

说明书

本发明公开了一种闪存控制器，其中所述闪存控制器系用来存取闪存模块，所述闪存模块包括了多个第一区块以及多个第二区块，且所述闪存控制器包括有用来存储一程序码的只读存储器以及微处理器。当所述闪存控制器上电时，若是所述闪存控制器需要将数据写入至所述闪存模块时，所述微处理器仅会将所述数据写入至所述多个第一区块中；以及直到所述闪存控制器上电后所写入的第一区块的数量高于临界值时，所述微处理器才会将后续数据写入至所述多个第二区块中。通过本发明，每次上电时所需要写入的单层式存储区块的数量可以根据先前操作来动态地决定，以更符合记忆装置的真实使用状况。

技术领域

本发明关于闪存控制器。

背景技术

目前的闪存模块通常会具有多种不同型式的区块，例如单层式存储(Single-Level Cell，SLC)、双层式存储(Multi-Level Cell，MLC)区块、三层式存储(Triple-LevelCell，TLC)区块或是四层式存储(Quad-Level Cell，QLC)区块中的其中两种，以供有效率地进行读写操作。传统上，闪存控制器在将数据写入至闪存模块时，可以先将数据写入到单层式存储区块中，之后再将多个单层式存储区块中的有效数据搬移到双层式存储区块、三层式存储区块或是四层式存储区块中，此方法的好处是一开始数据所写入的是稳定性高且速度快的单层式存储区块，但缺点是后续需要另外花时间来将数据搬移至数据存储密度较高区块中。在另一传统方法中，闪存控制器在将数据写入至闪存模块时，可以先直接将数据写入到双层式存储区块或是三层式存储区块，此方法的好处是节省了后续数据搬移的时间，但数据在写入的速度会比较慢，而且在目前立体闪存架构中的双层式存储区块、三层式存储区块或是四层式存储区块的数据稳定性并不好，因此若是遭遇到不正常断电、或甚至是连续的不正常断电的情形，除了造成正在写入的数据的损坏之外，更会影响到之前已经成功完成写入的数据，因此造成许多后续数据处理上的问题。

发明内容

因此，本发明的目的之一在于提出一种闪存控制器，其可以在闪存上电后，先将数据写入到单层式存储区块中，之后再选择性地将数据写入到双层式存储区块、三层式存储区块或是四层式存储区块中，以有效率且稳定地完成闪存的写入操作。

在本发明的一个实施例中，公开了一种闪存控制器，其中所述闪存控制器系用来存取一闪存模块，所述闪存模块包括了多个第一区块以及多个第二区块，且所述闪存控制器包括有用来存储一程序码的一只读存储器以及一微处理器。当所述闪存控制器上电时，若是所述闪存控制器需要将数据写入至所述闪存模块时，所述微处理器仅会将所述数据写入至所述多个第一区块中；以及直到所述闪存控制器上电后所写入的第一区块的数量高于一临界值时，所述微处理器才会将后续数据写入至所述多个第二区块中。

在本发明的另一个实施例中，公开了一种管理一闪存模块的方法，其中所述闪存模块包括了多个第一区块以及多个第二区块，以及所述方法包括有：当所述闪存模块上电时，仅将数据写入至所述多个第一区块中；以及直到所述闪存模块上电后所写入的第一区块的数量高于一临界值时，才会将后续数据写入至所述多个第二区块中。

在本发明的另一个实施例中，公开了一种包括一闪存模块以及一闪存控制器的电子装置，其中所述闪存模块包括多个第一区块以及多个第二区块，且所述闪存控制器用来存取所述闪存模块。当所述电子装置上电时，若是所述闪存控制器需要将数据写入至所述闪存模块时，所述闪存控制器仅会将所述数据写入至所述多个第一区块中；以及直到所述电子装置上电后所述闪存控制器所写入的第一区块的数量高于一临界值时，所述闪存控制器才会将后续数据写入至所述多个第二区块中。

附图说明

图1为依据本发明一实施例的一种记忆装置的示意图。

图2为依据本发明一实施例的闪存模块中一区块的示意图。

图3所示为根据本发明一实施例的闪存模块所包括的多个区块的示意图。

图4为根据本发明一第一实施例的管理闪存模块的流程图。