[发明专利]等离子体设备、半导体制造方法以及气体输送源

权利要求书

1.一种等离子体设备，包括：

多个室墙以及一室窗，其定义了一密闭空间；

一等离子体天线；

一基板承载台，且该室窗设置于该等离子体天线以及该基板承载台之间；

一气体输送源，机械耦合于该室窗，且该气体输送源包括：

一气体注入器，其中该气体注入器具有一柱状本体、一窗体以及一喷嘴，该柱状本体具有一通道，该通道具有一第一端以及一第二端，该窗体设置于该通道的该第一端，该喷嘴设置于该通道的该第二端，且该喷嘴设置于该密闭空间内；

一夹具，容纳该气体注入器；

一密封件，位于该窗体以及该柱状本体之间；以及

一紧固装置，机械耦合于该气体输送源，且该紧固装置为可调整的，用以调整施加于该气体注入器的一密封力，其中该紧固装置还包括一气体注入盖，该气体注入盖提供该密封力以使该窗体抵接于该密封件。

2.如权利要求1所述的等离子体设备，其中该气体注入盖具有倾斜的一底面，其中该紧固装置施加该密封力至该底面。

3.如权利要求2所述的等离子体设备，其中该底面相对于该气体注入盖的一纵轴以80度至89度的范围之间的一角度倾斜。

4.如权利要求1所述的等离子体设备，其中该室窗允许一射频能量由该等离子体天线传输至该密闭空间。

5.如权利要求1所述的等离子体设备，其中该等离子体天线包括一个或多个线圈。

6.如权利要求5所述的等离子体设备，其中该气体输送源设置于该一个或多个线圈的中心。

7.一种半导体制造方法，包括：

传送一基板进入一等离子体腔内；

当该基板于该等离子体腔内时，使一气体流入该等离子体腔内，该气体流经机械耦合于该等离子体腔的一气体输送源，且该气体输送源包括一气体注入器一夹具、一密封件以及一紧固装置，其中该气体注入器具有一柱状本体、一窗体以及一喷嘴，该柱状本体具有一通道，该通道具有一第一端以及一第二端，该窗体设置于该通道的该第一端，该喷嘴设置于该通道的该第二端，该夹具容纳该气体注入器，该密封件位于该窗体以及该柱状本体之间，该紧固装置机械耦合于该气体输送源且对该气体注入器施加一密封力，其中该气体经由该气体注入器流入该等离子体腔内，且该紧固装置为可调整的，用以调整该密封力；

利用该等离子体腔内的该气体维持一等离子体；以及

调整该紧固装置的一气体注入盖的一高度，该气体注入盖提供该密封力以使该窗体抵接于该密封件。

8.如权利要求7所述的半导体制造方法其中该窗体位于该气体注入盖与该气体注入器之间。

9.如权利要求8所述的半导体制造方法，其中调整该紧固装置的步骤包括调整多个紧固件。

10.如权利要求9所述的半导体制造方法，其中每一个该紧固件包括一螺栓以及一螺帽。

11.如权利要求8所述的半导体制造方法，其中该气体注入盖具有倾斜的一底面。

12.如权利要求11所述的半导体制造方法，其中该气体注入器的该底面以1度至10度的范围之间的一角度倾斜。

13.如权利要求8所述的半导体制造方法，其中该窗体为倾斜的。