[发明专利]等离子体设备、半导体制造方法以及气体输送源

说明书

本公开提供了一种等离子体设备、半导体制造方法以及气体输送源。等离子体设备包括多个室墙、一室窗、一等离子体天线、一基板承载台、一气体输送源及一紧固装置。多个室墙以及一室窗定义了一密闭空间。室窗设置于等离子体天线以及基板承载台之间。气体输送源机械耦合于室窗。气体输送源包括一气体注入器。气体注入器具有一通道、在通道的一第一端的一窗体以及在通道的一第二端的一喷嘴。气体输送源的喷嘴设置于密闭空间内。紧固装置机械耦合于气体输送源。紧固装置为可调整的，用以调整施加于气体注入器的一密封力。

技术领域

本公开涉及一种等离子体设备、半导体制造方法以及气体输送源。

背景技术

近年来，半导体集成电路(semiconductor integrated circuits)经历了指数级的成长。在集成电路材料以及设计上的技术进步下，产生了多个世代的集成电路，其中每一世代较前一世代具有更小更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，当几何尺寸(亦即，制造工艺中所能产出的最小元件或者线)缩小时，功能密度(亦即，每一芯片区域所具有的互连装置的数目)通常会增加。一般而言，此种尺寸缩小的制造工艺可以提供增加生产效率以及降低制造成本的好处，然而，此种尺寸缩小的制造工艺亦会增加制造与生产集成电路的复杂度。为了实现这些进步，需要在集成电路制造工艺和制造设备中进行相应的研发。在一例子中，利用等离子体制造系统来实施基板的等离子体蚀刻制造工艺。于等离子体蚀刻制造工艺中，等离子体通过从基板表面蚀刻的材料的元素与由等离子体产生的反应性物质之间的化学反应产生挥发性蚀刻产物。

发明内容

本公开的一实施例提供了一种等离子体设备。等离子体设备包括多个室墙、一室窗、一等离子体天线、一基板承载台、一气体输送源及一紧固装置。多个室墙以及一室窗定义了一密闭空间。室窗设置于该等离子体天线以及该基板承载台之间。气体输送源机械耦合于该室窗。气体输送源包括一气体注入器。该气体注入器具有一通道、在该通道的一第一端的一窗体以及在该通道的一第二端的一喷嘴。气体输送源的喷嘴设置于该密闭空间内。紧固装置机械耦合于该气体输送源。该紧固装置为可调整的，用以调整施加于该气体注入器的一密封力。

另一实施例为一半导体制造方法。上述方法包括传送一基板进入一等离子体腔内。当该基板于该等离子体腔内时，一气体流入该等离子体腔内。该气体流经机械耦合于该等离子体腔的一气体输送源。该气体输送源包括一气体注入器以及一紧固装置，机械耦合于该气体输送源且对该气体注入器施加一密封力。该气体经由该气体注入器流入该等离子体腔内。紧固装置为可调整的，用以调整该密封力。利用该等离子体腔内的该气体维持一等离子体。

又一实施例为一气体输送源。气体输送源包括一气体注入器、一夹具、一气体注入盖、一密封件及一可调整的紧固装置。气体注入器包括一柱状本体。夹具用以容纳该气体注入器且固定该气体注入器至一室窗。气体注入盖设置于该柱状本体的一端。该气体注入器具有位于该气体注入盖以及该柱状本体的一窗体。密封件位于该窗体以及该柱状本体之间。可调整的紧固装置耦接于该气体注入盖。该可调整的紧固装置为可调整的，用以调整该气体注入盖对于该窗体的一密封力，以压缩该密封件。

本发明的有益效果在于：本公开的一实施例提供了一种等离子体设备，包括多个室墙、一室窗、一等离子体天线、一基板承载台、一气体输送源及一紧固装置。气体输送源包括一气体注入器，一紧固装置机械耦合于该气体输送源。该紧固装置为可调整的，用以调整施加于该气体注入器的一密封力。利用可调整的紧固装置，以使用并配合任何气体注入器以减少或消除气体注入器的泄漏，实现最佳密封效果。

附图说明

当结合附图阅读时，可从以下详细描述中良好地理解本公开的各方面。应注意的是，根据本产业的一般作业，附图并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1为根据一些实施例中用于集成电路制造的等离子体腔的剖视示意图。

图2为根据一些实施例中气体输送源的剖视示意图。