[发明专利]一种低压零功耗CMOS上电检测电路在审
| 申请号： | 201910389480.8 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110007132A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 庄在龙 | 申请（专利权）人： | 南京芯耐特半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/165 | 分类号： | G01R19/165;G06F1/24;H03K17/22 |
| 代理公司： | 南京聚匠知识产权代理有限公司 32339 | 代理人： | 刘囝 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 上电检测电路 零功耗 上电 延迟 集成电路芯片 静态电流消耗 正常工作状态 二级反相器 三级反相器 一级反相器 分压模块 静态功耗 快速检测 启动电路 延迟电容 整形模块 电容 低电压 低功耗 复位 电阻 分压 电源 帮助 检测 应用 | ||
1.一种低压零功耗CMOS上电检测电路，用于检测电源VDD的变化，其特征在于，包括：
电容Cp，连接电源VDD，输出电压Vp；
NMOS器件NM1，与电容Cp串联；
RS触发器，接收Vp和NM1栅极电压；
一级反相器I3，输入端与RS触发器的输出端相连；
分压模块，由NMOS器件NM2、电阻R1以及PMOS器件PM1串联而成，输出电压Vq；
整形模块，由NMOS器件NM3和PMOS器件PM2并联而成；
二级反相器I4，输入端与整形模块串联，输出端输出电压Va，并与NM1的栅极相连；
对地延迟电容C1，一端与二级反相器I4输出端串联，另一端接地；
三级反相器，由I5和I6串联而成，输入电压Va，输出s_porb。
2.如权利要求1所述的一种低压零功耗CMOS上电检测电路，其特征在于，所述电容Cp与NM1的漏极相连，所述NM1的源极接地；所述RS触发器的R端口与NM1的漏极相连，所述RS触发器的S端口与NM1的栅极相连，所述一级反相器I3的输出端与NM2的栅极相连。
3.如权利要求1所述的一种低压零功耗CMOS上电检测电路，其特征在于，所述NM2的漏极通过电阻R1与PM1的漏极相连，所述NM2的源极与所述PM1的栅极均接地，所述PM1的源极与电源VDD相连，所述NM2宽长比大于所述PM1的宽长比；所述NM3的栅极与所述PM2的栅极相连并同时与分压模块中的PM1的漏极相连，所述NM3的漏极与所述PM2的漏极相连并同时与二级反相器I4的输入端相连，所述NM3的源极接地，所述PM2的源极与电源VDD相连接。
4.如权利要求2或3所述的一种低压零功耗CMOS上电检测电路，其特征在于，所述RS触发器由逻辑或非门I1和逻辑或非门I2组成，所述逻辑或非门I1的一个输入端与所述逻辑或非门I2的输出端相连，所述逻辑或非门I1的另一个输入端与NM1的漏极相连，所述逻辑或非门I1的输出端与所述逻辑或非门I2的一个输入端相连并同时与反相器I3的输入端相连，所述逻辑或非门I2的另一个输入端与所述NM1的栅极相连。
5.如权利要求4所述的一种低压零功耗CMOS上电检测电路，其特征在于，所述RS触发器上连接有欠压检测电路，所述欠压检测电路的输出端与所述RS触发器相连。
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