[发明专利]一种从碲化铋基半导体制冷片废料中回收碲的方法

权利要求书

1.一种从碲化铋基半导体制冷片废料中回收碲的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将所述碲化铋基半导体制冷片废料加入0.5～10wt%的氢氧化钠溶液、0.5～10wt%碳酸钠溶液、0.5～10wt%四聚丙烯苯磺酸钠、酒精、煤油或丙酮中于25～80℃浸泡1～10h，中间不断搅拌，清洗除去杂质，过滤，破碎研磨，得到含碲物料粉末；

步骤2：按固液质量体积比1:3～1:8分别加入所述含碲物料粉末和盐酸溶液，盐酸溶液的浓度控制在1～10mol/L；

步骤3：将所述步骤2的反应温度升高至50～90℃，缓慢加入质量为碲金属质量0.05～5倍的氧化剂，保温反应1～8h，过滤，收集得到滤液A；所述氧化剂为次氯酸钠、次氯酸钙或氯酸钠中的至少一种；

步骤4：将反应温度升高至60～95℃，在所述滤液A中加入质量为硒金属质量1～10倍的还原剂，保温反应0.5～5h过滤，收集得到滤液B；所述还原剂为盐酸羟胺或水合肼，所述还原剂的质量为所述硒金属质量的5～8倍；

步骤5：在所述滤液B中加入氢氧化钠将滤液B调节至pH值为4～6.5，析出二氧化碲沉淀，过滤，收集二氧化碲滤渣；

步骤6：将所述二氧化碲滤渣、水、氢氧化钠混合配置成亚碲酸钠电解液，过滤，除去铋、锑杂质，电沉积，最终获得金属碲。

2.如权利要求1所述的从碲化铋基半导体制冷片废料中回收碲的方法，其特征在于，所述氧化剂的质量为所述碲金属质量的0.1～2倍。

3.如权利要求1所述的从碲化铋基半导体制冷片废料中回收碲的方法，其特征在于，所述步骤3的反应温度为60～80℃，反应时间为1～3h；所述步骤4的反应温度为65～85℃，反应时间为0.5～2h。

4.如权利要求1所述的从碲化铋基半导体制冷片废料中回收碲的方法，其特征在于，步骤2中所述盐酸溶液的浓度为4～6mol/L，所述固液质量体积比为1:4～1:6。