[发明专利]基片处理方法、基片处理装置和基片处理系统

权利要求书

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

生成步骤，其使氧化剂接触在包含硅系膜的膜上形成有硼单质膜的基片中的所述硼单质膜从而生成B(OH)₃或者B₂O₃；和

除去步骤，其使在所述生成步骤中生成的B(OH)₃或者B₂O₃溶解于水，由此从所述基片除去所述硼单质膜。

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

所述生成步骤中，使含臭氧的水溶液接触所述硼单质膜从而生成B(OH)₃或者B₂O₃，

所述除去步骤中，使在所述生成步骤中生成的B(OH)₃或者B₂O₃溶解于所述含臭氧的水溶液所含的水。

3.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

包括加热所述含臭氧的水溶液的加热步骤。

4.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：

包括将所述基片保持为水平姿态的保持步骤，

所述生成步骤中，使用供给部，对由所述保持步骤保持的所述基片供给所述含臭氧的水溶液，由此使所述含臭氧的水溶液接触所述硼单质膜，其中所述供给部包括：用于排出所述含臭氧的水溶液的喷嘴；和喷嘴臂，其用于支承所述喷嘴，并在内部具有所述含臭氧的水溶液的供给通路，

所述加热步骤中，使用设置于所述喷嘴臂的加热部，加热在所述供给通路流动的所述含臭氧的水溶液。

5.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

所述生成步骤中，使过氧化氢水溶液接触所述硼单质膜从而生成B(OH)₃或者B₂O₃，

所述除去步骤中，使在所述生成步骤中生成的B(OH)₃或者B₂O₃溶解于所述过氧化氢水溶液所含的水。

6.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于：

所述过氧化氢水溶液中的过氧化氢的浓度为16.5wt％以上35wt％以下。

7.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

所述生成步骤中，使混合液接触所述硼单质膜从而生成B(OH)₃或者B₂O₃，其中混合液是将硝酸、比所述硝酸强的强酸和水混合而成的，

所述除去步骤中，使在所述生成步骤中生成的B(OH)₃或者B₂O₃溶解于所述混合液所含的水。

8.如权利要求7所述的基片处理方法，其特征在于：

所述强酸是浓度为64wt％以下的硫酸，

所述硝酸的浓度为3wt％以上69wt％以下。

9.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

保持部，其用于保持在包含硅系膜的膜上形成有硼单质膜的基片；和

除去处理部，其使氧化剂接触保持于所述保持部的所述基片中的所述硼单质膜从而生成B(OH)₃或者B₂O₃，使生成的B(OH)₃或者B₂O₃溶解于水，由此从所述基片除去所述硼单质膜。

10.一种基片处理系统，其特征在于，包括：

成膜装置，其用于在具有包含硅系膜的膜的基片形成硼单质膜；

蚀刻装置，其用于对利用所述成膜装置而形成有所述硼单质膜的所述基片进行蚀刻；和

基片处理装置，其用于从由所述蚀刻装置蚀刻后的所述基片除去所述硼单质膜，

所述基片处理装置包括：

保持部，其用于保持在包含硅系膜的膜上形成有硼单质膜的基片；和

除去处理部，其用于使氧化剂接触保持于所述保持部的所述基片中的所述硼单质膜从而生成B(OH)₃或者B₂O₃，使生成的B(OH)₃或者B₂O₃溶解于水，由此从所述基片除去所述硼单质膜。