[发明专利]基片处理方法、基片处理装置和基片处理系统

说明书

本发明提供一种能够适当地从基片除去硼单质膜的技术。本发明的基片处理方法包括生成步骤和除去步骤。生成步骤使氧化剂接触在包含硅系膜的膜上形成有硼单质膜的基片中的硼单质膜从而生成B(OH)₃或者B₂O₃。除去步骤使在生成步骤中生成的B(OH)₃或者B₂O₃溶解于水，由此从基片除去硼单质膜。

技术领域

本发明涉及基片处理方法、基片处理装置和基片处理系统。

背景技术

一直以来，使用碳膜等作为半导体基片的蚀刻处理中所使用的硬掩模(hardmask)。

近年来，作为新的硬掩模材料，硼系膜一直受到关注。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-133710号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够适当地从基片除去硼单质膜的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的基片处理方法包括生成步骤和除去步骤。生成步骤使氧化剂接触在包含硅系膜的膜上形成有硼单质膜的基片中的硼单质膜，来生成B(OH)₃或者B₂O₃。除去步骤使在生成步骤中生成的B(OH)₃或者B₂O₃溶解于水，由此从基片除去硼单质膜。

发明效果

依照本发明，能够适当地从基片除去硼单质膜。

附图说明

图1A是表示第一实施方式的基片处理方法的一例的图。

图1B是表示第一实施方式的基片处理方法的一例的图。

图1C是表示第一实施方式的基片处理方法的一例的图。

图1D是表示第一实施方式的基片处理方法的一例的图。

图2是表示使过氧化氢(H₂O₂)和水(H₂O)的比例变化的情况下硼单质膜的蚀刻速率的变化的实验结果。

图3是表示使混合液的稀释倍数变化的情况下硼单质膜的蚀刻速率的变化的实验结果。

图4是表示第一实施方式的基片处理系统的一例的框图。

图5是表示成膜处理单元的结构的一例的图。

图6是表示蚀刻处理单元的结构的一例的图。

图7是表示第一实施方式的基片处理装置的结构的图。

图8是表示第一实施方式的处理单元的结构的图。

图9是表示第一实施方式的处理单元中的处理液供给系统的结构的一例的图。

图10是表示除去液供给部的结构的一例的图。

图11是表示第一实施方式的基片处理系统执行的基片处理的步骤顺序的一例的流程图。

图12是表示第二实施方式的处理单元中的处理液供给系统的结构的一例的图。

图13是表示第三实施方式的处理单元中的处理液供给系统的结构的一例的图。

图14A是表示第四实施方式的处理单元的结构的一例的图。