[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法

说明书

本发明提供一种处理基板的基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的基板处理方法。该基板处理装置的顶板在第一位置由相向构件保持部保持，在第二位置由基板保持部保持，并且与基板保持部一起旋转。就基板处理装置而言，通过控制部控制第一处理液供给部、第二处理液供给部以及喷嘴移动机构，在第一处理液喷嘴位于顶板的被保持部内的供给位置的状态下，经由相向构件开口向基板供给第一处理液，第一处理液喷嘴从供给位置移动至退避位置。然后，第二处理液喷嘴从退避位置移动至供给位置，经由相向构件开口向基板供给第二处理液。这样，与从一个处理液喷嘴依次供给多种处理液的情况相比，能够抑制或者防止产生多种处理液的混合液。

本申请是申请日为2016年02月04日、申请号为201610078393.7、发明名称为“基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的基板处理方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种处理基板的技术。

背景技术

以往，在半导体基板(以下，仅称为“基板”)的制造工序中，对基板施加各种各样的处理。例如，通过向表面上形成有光阻的图案的基板上供给药液，对基板的表面进行刻蚀等药液处理。另外，在药液处理结束之后，向基板上供给清洗液来进行清洗处理，然后，进行基板的干燥处理。

例如，在JP特许第3621568号公报(文献1)的基板清洗装置中，将盖构件载置于水平地保持晶圆的旋转卡盘上，使其与晶圆一起旋转。当进行基板的清洗处理时，首先，从以与盖构件分离的方式配置于盖构件的上方的上喷嘴经由设于盖构件的旋转中心的开口向正在旋转的基板上供给清洗液。作为清洗液，利用氢氟酸、盐酸、硫酸、磷酸、氨水、过氧化氢等。接下来，通过从该上喷嘴向正在旋转的基板上供给纯水，冲洗附着于基板上的清洗液。然后，当进行基板的干燥处理时，从上述上喷嘴喷出氮气(N₂)，经由盖构件的开口供给至晶圆上。这样，能够降低盖构件与晶圆之间的空间的氧浓度，以促进基板的干燥。

上述盖构件是由铁等磁性体形成的。当使盖构件向上方远离旋转卡盘时，利用与臂部的顶端的电磁铁连结的吸附构件来吸附盖构件，盖构件与臂部一起向上方移动。就该基板清洗装置而言，在使吸附构件与盖构件接触的状态下，能够通过向电磁铁通电或断电，来吸附或释放盖构件。

另外，在文献1的基板清洗装置中，从同一喷嘴依次供给氢氟酸等清洗液与纯水。因此，在该喷嘴中有产生清洗液与纯水的混合液的危险。

另外，在文献1的基板清洗装置中，盖构件周围的外部气体从上喷嘴的顶端与盖构件的开口之间的间隙经由该开口进入盖构件与基板之间的空间。因此，盖构件与晶圆之间的空间中的氧浓度会降低。

而且，在文献1的基板清洗装置中，为了借助磁力吸附保持盖构件，盖构件必需含有磁性体。另外，在保持盖构件的保持部上也需要设置电磁铁，还需要控制电磁铁的通断。因此，盖构件的保持结构变得复杂。

另外，文献1的基板清洗装置存在因供给至晶圆的清洗液反复附着在作为与晶圆相向的相向构件盖构件的下表面，再反复干燥，导致清洗残留物等逐渐积累于盖构件下表面而成为污染源。因此，需要将盖构件从基板清洗装置取出进行维护。此时，存在无法在基板清洗装置中进行基板的清洗等，导致生产性降低。

发明内容

本发明涉及处理基板的基板处理装置，一个目的为抑制产生多种处理液的混合液。本发明的另一个目的是抑制外部气体进入相向构件与基板之间的空间。本发明的再一个目的是以简单的结构保持相向构件，并且以简单的结构使相向构件保持部在保持位置与退避位置之间移动。本发明的又一个目的是通过更换使用相向构件，来抑制基板处理的生产性降低。本发明也涉及处理基板的基板处理系统以及处理基板的基板处理方法。