[发明专利]过流保护电路、控制电路、芯片及控制方法有效

专利信息
申请号: 201910394857.9 申请日: 2019-05-13
公开(公告)号: CN111934275B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 周中武 申请(专利权)人: 澜至电子科技(成都)有限公司
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08;H02H1/00
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 张燕
地址: 610200 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 保护 电路 控制电路 芯片 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种过流保护电路,其特征在于,其输入端与供电模块电性连接,其输出端与一负载电性连接;所述过流保护电路包括:开关模块、过流检测模块、控制模块和欠压检测模块;

其中,所述开关模块的第一端与所述供电模块电性连接,用于导通或关闭所述供电模块与所述负载之间的通路;

所述过流检测模块,设置于所述开关模块和所述过流保护电路的输出端之间,用于将过流转换化为过流保护电路输出端的欠压;所述过流检测模块的第二端和所述过流保护电路输出端之间设置有过流保护电路输出端的欠压保护点;所述过流检测模块包括第一电阻;

所述控制模块的第一端与所述开关模块的第三端电性连接,用于控制所述过流保护电路的导通或关闭;

所述欠压检测模块包括第三电阻、第四电阻及第五电阻;所述第三电阻的一端与所述第四电阻的一端连接后共同作为所述欠压检测模块的第三端;所述第三电阻的另一端作为所述欠压检测模块的第二端连接至所述欠压保护点,用于采样所述欠压保护点处的电压;所述第四电阻的另一端与所述第五电阻的一端连接后共同作为所述欠压检测模块的第一端,连接至所述控制模块的第二端;所述第五电阻的另一端接地;所述控制模块包括第二电阻和第二晶体三极管;所述第二晶体三极管的基极分别与所述第四电阻的另一端和所述第五电阻的一端相连接,所述第二晶体三极管的集电极与所述第二电阻的另一端相连接,所述第二晶体三极管的发射极接地;当过流保护电路输出端的输出电压大于欠压保护点处的电压时,欠压检测模块第三端的检测电平高于预设高压最小值,以使所述过流保护电路处于正常输出状态;当过流保护电路输出端的输出电压小于欠压保护点处的电压时,欠压检测模块第三端的检测电平低于预设高压最小值,以使所述过流保护电路处于保护所述负载的保护状态。

2.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于:所述过流保护电路还包括:

第一过滤模块,其一端与所述供电模块连接,另一端接地,用于过滤输入至所述过流保护电路输入端的电压纹波;

第二过滤模块,其一端与过流保护电路输出端连接,另一端接地,用于过滤输入至所述过流保护电路输出端的电压纹波。

3.根据权利要求2所述的过流保护电路,其特征在于:所述第一过滤模块包括第一电容;所述第二过滤模块包括第二电容;其中,所述第一电容的一端与所述供电模块相连接,另一端接地;所述第二电容的一端与过流保护电路输出端相连接,另一端接地。

4.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于:

所述欠压检测模块还用于当其第三端呈高阻态时,检测所述欠压保护点处的电压,并使所述欠压保护点处的电压低于所述开关模块的导通电压,关闭所述供电模块与所述负载之间的通路;或

所述欠压检测模块还用于检测所述过流保护电路的工作状态,其第三端用于与一通用输入/输出端端口电性连接,以使过流保护电路输出端的电压大于欠压保护点处的电压,通用输入/输出端的检测电平高于预设高压最小值,所述过流保护电路处于正常输出状态。

5.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于:

所述过流检测模块的一端与所述开关模块的第二端电性连接,所述过流检测模块的第二端与过流保护电路输出端的欠压保护点电性连接,用于检测所述供电模块与所述负载间通路的电流,将过流转换化为过流保护电路输出端的欠压。

6.根据权利要求3所述的过流保护电路,其特征在于:所述开关模块包括具有开关功能的半导体器件;当所述开关模块包括第一晶体三极管,所述第一晶体三极管的发射极与所述第一电容的一端相连接,所述第一晶体三极管的基极与所述第二电阻的一端相连接;所述第一晶体三极管的集电极与所述第一电阻的一端相连接;所述第一电阻的另一端与所述第二电容的一端相连接。

7.根据权利要求3所述的过流保护电路,其特征在于:当所述开关模块包括MOS管,所述MOS管的源极与所述第一电容的一端相连接,所述MOS管的栅极与所述第二电阻的一端相连接;所述MOS管的漏极与所述第一电阻的一端相连接;所述第一电阻的另一端与所述第二电容的一端相连接;在所述MOS管的源极和栅极之间设置第六电阻R6。

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