[发明专利]一种低功耗混频器

权利要求书

1.一种低功耗混频器，包括双平衡混频器；其特征在于，包括：射频输入电路(1)，用于接收射频信号；第一本振输入电路(2)，第二本振输入电路(3)，以及共模反馈电路(4)，所述共模反馈电路(4)用来稳定输出共模电压；

所述射频输入电路(1)分别与所述第一本振输入电路(2)、所述第二本振输入电路(3)、以及所述共模反馈电路(4)电连接；

所述第一本振输入电路(2)与所述第二本振输入电路并联电连接，且在所述第一本振输入电路(2)与所述第二本振输入电路(3)之间的两个公共点设置有负载；

所述射频输入电路中设有NMOS类型的晶体管MN1、MN2，和PMOS类型的晶体管MP1、MP2；所述晶体管MP1的栅极端输入第一射频信号，所述晶体管MP2的栅极端输入第二射频信号，所述晶体管MN1的栅极端输入第一射频信号，所述晶体管MN2的栅极端输入第二射频信号，所述第一射频信号与所述第二射频信号构成射频差分信号；

所述第一本振输入电路中设有NMOS类型的晶体管MN3、MN4、MN5、MN6；

所述第二本振输入电路中设有PMOS类型的晶体管MP3、MP4、MP5、MP6；

所述晶体管MN1、MN2和所述第一本振输入电路构成一双平衡混频器，所述晶体管MP1、MP2和所述第二本振输入电路构成另一双平衡混频器；

由所述一双平衡混频器产生的电流和由所述另一双平衡混频器产生的电流一起流过负载，通过增加流经负载的电流信号以实现降低直流电流和节省功耗的目的。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗混频器，其特征在于，包括：

所述晶体管MP1和所述晶体管MP2的漏极端对应与所述第二本振输入电路电连接；

所述晶体管MN1和所述晶体管MN2漏极对应与所述第一本振输入电路电连接。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗混频器，其特征在于，包括：

所述第二本振输入电路(3)中晶体管MP3和晶体管MP4的源极端与所述射频输入电路的晶体管MP1的漏极端电连接；

所述第二本振输入电路(3)中晶体管MP5和晶体管MP6的源极端与所述射频输入电路的晶体管MP2的漏极端电连接；

所述晶体管MP3和所述晶体管MP5的漏极端与所述第一本振输入电路及负载的一端电连接；

所述晶体管MP4和所述晶体管MP6的漏极端与所述第一本振输入电路及负载的另一端电连接电连接；

所述晶体管MP4和所述晶体管MP5的栅极端接第一差分本振信号LOP；

所述晶体管MP3和所述晶体管MP6的栅极端接第二差分本振信号。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗混频器，其特征在于，包括：

所述第一本振输入电路中的晶体管MN3和晶体管MN5的漏极端与所述所述第二本振输入电路及负载的一端电连接；

所述晶体管MN4和所述晶体管MN6的漏极端与所述第二本振输入电路及负载的另一端电连接；

所述晶体管MN3和晶体管所述MN4的源极端与所述射频输入电路中晶体管MN1的源极端电连接；

所述晶体管MN5和晶体管所述MN6的源极端与所述射频输入电路中晶体管MN2的源极端电连接；

所述晶体管MN3和所述晶体管MN6的栅极端接第一差分本振信号LOP；

所述晶体管MN4和所述晶体管MN5的栅极端接第二差分本振信号。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种低功耗混频器，其特征在于，还包括：晶体管MP7以及电流源；

所述晶体管MP7的源极端接供电电源；所述晶体管MP7的栅极端与所述共模反馈电路电连接；

所述晶体管MP7的漏极端接与所述电流源分别对应与所述射频输入电路电连接。

6.根据权利要求1-4任一项的一种低功耗混频器，其特征在于，还包括：电阻R3以及电流源；

所述射频输入电路中晶体管的MP1和晶体管MP2的源极端通过电阻R3接供电电源；

所述晶体管的MP1和所述晶体管MP2的栅极端与所述共模反馈电路电连接；

所述射频输入电路中晶体管的MN1和晶体管MN2的源极端通过所述电流源接地。

7.根据权利要求1-4任一项的一种低功耗混频器，其特征在于，还包括：电阻R3以及电流源；

所述射频输入电路中晶体管的MP1和晶体管MP2的源极端通过所述电流源接供电电源；

所述晶体管的MN1和所述晶体管MN2的栅极端与所述共模反馈电路电连接；

所述射频输入电路中晶体管的MN1和晶体管MN2的源极端通过电阻R3接地。