[发明专利]一种低功耗混频器

说明书

本发明公开了一种低功耗混频器，包括：单平衡混频器，或双平衡混频器；包括：射频输入电路，用于接收射频信号；第一本振输入电路，第二本振输入电路，以及共模反馈电路，电路用来稳定输出共模电压；所述射频输入电路分别与所述第一本振输入电路、所述第二本振输入电路、以及所述共模反馈电路电连接；所述第一本振输入电路与所述第二本振输入电路并联电连接，且在两个公共点设置有负载。使用NMOS和PMOS互补混频结构，达到了低功耗的效果。

技术领域

本发明涉及射频集成电路技术领域，尤其涉及一种低功耗混频器。

背景技术

混频器广泛用于射频收发芯片，在射频接收通路，用于将射频信号下变频到低频，便于ADC处理；在射频发射通路，用于将低频基带信号上变频为射频信号，通过功率放大器发射出去；在频率合成电路中，也常常用于将锁相环产生的信号混频产生新的本振信号，以减轻功率放大器对锁相环中压控振荡器的牵引。随着移动通信设备的功能越来越全，延长通信设备的续航能力对于提高产品竞争力，提升用户体验非常重要，射频芯片设计中非常重要的指标便是功耗，本文侧重于降低射频芯片常用模块—混频器的功耗。

因此，基于以上存在的技术问题，本发明提供了解决以上技术问题的技术方案。

发明内容

本发明的目的是提供一种低功耗混频器，使用NMOS和PMOS互补混频结构，达到了低功耗的效果。

本发明提供的技术方案如下：

一种低功耗混频器，包括：射频输入电路，用于接收射频信号；第一本振输入电路，第二本振输入电路，以及共模反馈电路，电路用来稳定输出共模电压；所述射频输入电路分别与所述第一本振输入电路、所述第二本振输入电路、以及所述共模反馈电路电连接；所述第一本振输入电路与所述第二本振输入电路并联电连接，且在两个公共点设置有负载。

进一步优选的，所述单平衡混频器包括：所述射频输入电路1中设置有晶体管MP3和晶体管MN3；所述第一本振输入电路中设置有晶体管MN1和晶体管MN2；所述第二本振输入电路中设置有晶体管MP1和晶体管MP2。

进一步优选的，所述单平衡混频器包括：射频信号接入至所述射频输入电路中晶体管MP3的栅极端，以及所述晶体管MN3的栅极端；且所述晶体管MP3的栅极端，或所述晶体管MN3的栅极端通过偏置电阻R1与所述共模反馈电路电连接；所述晶体管MP3的源极端接供电电源；所述晶体管MN3的源极端接地；所述晶体管MP3的漏极端分别与所述第二本振输入电路中的晶体管MP1和晶体管MP2的源极端电连接；所述晶体管MP1和所述晶体管MP2的漏极端，分别与所述第一本振输入电路中的晶体管MN1和晶体管MN2的漏极端电连接；所述晶体管MN1和所述晶体管MN2的栅极端分别接第一差分本振信号LOP和第二差分本振信号；所述晶体管MN1和所述晶体管MN2的源极端与所述射频输入电路中晶体管MN3的漏极端电连接。

进一步优选的，所述双平衡混频器包括：所述射频输入电路中设置有晶体管MN1、MN2、MP1、MP2；所述第一本振输入电路中设置有晶体管MN3、MN4、MN5、MN6；所述第二本振输入电路中设置有晶体管MP3、MP4、MP5、MP6。

进一步优选的，包括：所述射频输入电路中的晶体管MP1的栅极端输入第一射频信号，晶体管MP2的栅极端输入第二射频信号；所述晶体管MP1和所述晶体管MP2的漏极端对应与所述第二本振输入电路电连接；所述射频输入电路中的晶体管MN1的栅极端输入第一射频信号，晶体管MN2的栅极端输入第二射频信号；所述晶体管MN1和所述晶体管MN2漏极对应与所述第一本振输入电路电连接。