[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
| 申请号： | 201910395773.7 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110504189A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 久保诚人;井本直树;八寻俊一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 供气部 供给气体 腔室 基片处理装置 室内 基片处理 减压气氛 收纳 常压 | ||
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
腔室，其用于收纳基片，并能够在减压气氛下在内部保持基片；
用于对所述腔室内供给气体的多个供气部；和
控制部，其分别控制所述多个供气部进行的所述气体的供给，
所述控制部在使所述腔室内回到常压时，开始从所述多个供气部中的一个以上的供气部供给所述气体后，增加供给所述气体的所述供气部的数量。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述多个供气部沿矩形的各边配置，
所述控制部在使所述腔室内回到所述常压时，开始从位于所述矩形的2个边或者3个边的所述供气部供给所述气体后，增加供给所述气体的所述供气部的数量。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部在使所述腔室内回到所述常压时，开始从呈L字状配置的2个所述供气部供给所述气体后，增加供给所述气体的所述供气部的数量。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述供气部包括多个供气口，
所述控制部分别控制所述多个供气口中第一供气口进行的所述气体的供给和第二供气口进行的所述气体的供给。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，包括：
第一支承部，其在规定方向排列地配置，能够在所述腔室内支承所述基片；和
第二支承部，其配置在所述第一支承部之间，能够在所述腔室内支承所述基片，
所述第一支承部和所述第二支承部能够交替地升降，以交替地支承所述基片。
6.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
当使在减压气氛下收纳有基片的腔室内回到常压时，开始从多个供气部中的一个以上的所述供气部对所述腔室内供给气体的步骤；和
在开始供给所述气体后，增加供给所述气体的所述供气部的数量的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
