[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

说明书

本发明提供一种能够抑制在基片处理中发生不均的技术。实施方式的基片处理装置包括腔室、多个供气部和控制部。腔室用于收纳基片，能够在减压气氛在内部保持基片。供气部用于对腔室内供给气体。控制部分别控制多个供气部进行的气体的供给。控制部在使腔室内回到常压时，开始从多个供气部中的一个以上的供气部供给气体后，增加供给气体的供气部的数量。

技术领域

本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。

背景技术

专利文献1公开了一种技术，其中在使减压气氛的腔室内回到常压时，通过调节流量调节阀的开度，来切换使腔室内缓慢地恢复压力的慢吹扫和急速地恢复压力的主吹扫的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-126263号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种抑制在基片处理中发生不均的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一实施方式的基片处理装置包括腔室、多个供气部和控制部。腔室用于收纳基片，能够在减压气氛下在内部保持基片。供气部用于对腔室内供给气体。控制部分别控制多个供气部进行的气体的供给。控制部在使腔室内回到常压时，开始从多个供气部中的一个以上的供气部供给气体后，增加供给气体的供气部的数量。

发明效果

依照本发明，能够抑制在基片处理中发生不均。

附图说明

图1是表示实施方式的基片处理装置的概略结构的示意图。

图2是表示实施方式的由辊输送装置进行的基片输送的示意图。

图3是表示实施方式的减压处理部的概略结构的示意图(其1)。

图4是表示实施方式的减压处理部的概略结构的示意图(其2)。

图5是表示实施方式的控制部的构成的一部分的框图。

图6A是表示由实施方式的减压干燥单元进行第一慢吹扫时的气体供给的图。

图6B是表示由实施方式的减压干燥单元进行第二慢吹扫时的气体供给的图。

图7是说明实施方式的减压干燥处理步骤的流程图。

图8A是说明实施方式的减压干燥单元中的基片输送的图。

图8B是说明实施方式的减压干燥单元中的基片的交接的图。

图8C是表示由实施方式的减压干燥单元进行减压干燥处理时的第一支承部和第二支承部的状态的图(其1)。

图8D是表示由实施方式的减压干燥单元进行减压干燥处理时的第一支承部和第二支承部的状态的图(其2)。

图9是表示实施方式的变形例的减压干燥单元的概略结构的示意图。

图10A是表示由实施方式的变形例的减压干燥单元进行第一慢吹扫时的气体供给的图(其1)。

图10B是表示由实施方式的变形例的减压干燥单元进行第一慢吹扫时的气体供给的图(其2)。

附图标记说明

1 基片处理装置

3 第一处理站

5 第二处理站

6 控制装置

6A 控制部