[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

第1导电层，在第1方向延伸；

第1绝缘层，在所述第1方向延伸，在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述第1导电层并排；

第1半导体层，与所述第1导电层对向，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向延伸；

第2半导体层，与所述第1导电层对向，在所述第3方向延伸，所述第2方向上的位置与所述第1半导体层不同；

第1接触电极，连接于所述第1半导体层；以及

第2接触电极，连接于所述第2半导体层；

于在所述第1方向及所述第2方向延伸的第1截面中，

所述第1半导体层的外周面由所述第1导电层遍及全周地包围，

所述第2半导体层的外周面由所述第1导电层及所述第1绝缘层包围。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，具备：

第2导电层，在所述第1方向延伸，在所述第2方向上与所述第1绝缘层并排；

第3半导体层，与所述第2导电层对向，在所述第3方向延伸，所述第2方向上的位置与所述第1半导体层及所述第2半导体层不同；以及

第3接触电极，连接于所述第3半导体层；

在所述第1截面中，

所述第2半导体层的外周面由所述第1导电层及所述第2导电层中的仅所述第1导电层以及所述第1绝缘层包围，

所述第3半导体层的外周面由所述第1导电层及所述第2导电层中的仅所述第2导电层以及所述第1绝缘层包围。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

在所述第1截面中，所述第1半导体层、所述第2半导体层及所述第3半导体层在与所述第1方向交叉的第4方向并排。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，具备：

第1栅极绝缘膜，设置在所述第1导电层及所述第1半导体层之间，与所述第1导电层及所述第1半导体层的外周面相接；

第2栅极绝缘膜，设置在所述第1导电层及所述第2半导体层之间、以及所述第1绝缘层及所述第2半导体层之间，与所述第1绝缘层及所述第2半导体层的外周面相接；以及

第3栅极绝缘膜，设置在所述第2导电层及所述第3半导体层之间、以及所述第1绝缘层及所述第3半导体层之间，与所述第1绝缘层及所述第3半导体层的外周面相接。

5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中

具备第3导电层，该第3导电层的所述第3方向的位置与所述第1导电层及所述第2导电层不同，与所述第1半导体层、所述第2半导体层及所述第3半导体层的外周面对向，

于在所述第1方向及所述第2方向延伸的第2截面中，所述第1半导体层、所述第2半导体层及所述第3半导体层的外周面由所述第3导电层遍及全周地包围。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1导电层具备与所述第1半导体层及所述第2半导体层对向的第1部分以及连接于接触电极的第2部分，

所述第2部分的所述第3方向的厚度小于所述第1部分的所述第3方向的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，具备：

第1存储单元、与连接于该第1存储单元及所述第1接触电极的第1选择晶体管；以及

第2存储单元、与连接于该第2存储单元及所述第2接触电极的第2选择晶体管；

所述第1选择晶体管包含所述第1半导体层的一部分及所述第1导电层的一部分，

所述第2选择晶体管包含所述第2半导体层的一部分及所述第1导电层的一部分。