[发明专利]阵列基板和阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

栅极；

有源层，包括叠层设置的第一有源层和第二有源层，所述第一有源层和所述第二有源层材料不同，以提升薄膜晶体管的开态电流；

栅绝缘层，设置于所述栅极与所述有源层之间；

源极，与所述有源层电性连接；

漏极，与所述有源层电性连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层设置在所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧，所述第二有源层设置在所述第一有源层远离所述栅绝缘层的一侧，所述第一有源层的离子掺杂浓度大于所述第二有源层的离子掺杂浓度，以缩小有源层的空乏区。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层还包括第三有源层，所述第三有源层设置在所述第二有源层远离所述第一有源层的一侧，所述第三有源层的离子掺杂浓度大于所述第二有源层的离子掺杂浓度。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层还包括第四有源层，所述第四有源层设置在所述第二有源层远离所述第一有源层的一侧，所述第四有源层的离子掺杂浓度小于所述第二有源层的离子掺杂浓度，以缩小有源层的空乏区。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层还包括第五有源层，所述第五有源层设置在所述第四有源层远离所述第二有源层的一侧，所述第五有源层的离子掺杂浓度大于第四有源层的离子掺杂浓度。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层设置在所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧，所述第二有源层设置在所述第一有源层远离所述栅绝缘层的一侧，所述第一有源层为宽禁带的半导体材料，以降低与栅绝缘层的接触势垒，所述第二有源层为金属氧化物。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层还包括第六有源层，所述第六有源层设置在所述第二有源层远离所述第一有源层的一侧，所述第二有源层的离子掺杂浓度小于所述第六有源层的离子掺杂浓度。

8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层还包括第七有源层，所述第七有源层设置在所述第二有源层远离所述第一有源层的一侧，所述第七有源层的离子掺杂浓度小于所述第二有源层的离子掺杂浓度，以缩小有源层的空乏区。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层还包括第八有源层，所述第八有源层设置在所述第七有源层远离所述第二有源层的一侧，所述第八有源层的离子掺杂浓度大于所述第七有源层的离子掺杂浓度。

10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

制备栅极；

在所述栅极的一侧形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层远离所述栅极的一侧形成有源层，所述有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层，所述第一有源层和所述第二有源层材料不同，以提升薄膜晶体管的开态电流；

形成源极和漏极，所述源极和所述漏极与所述有源层电性连接。