[发明专利]一种部分编程的方法和装置有效
| 申请号： | 201910399724.0 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111951856B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张晓伟;潘荣华 | 申请（专利权）人： | 兆易创新科技集团股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 部分 编程 方法 装置 | ||
1.一种部分编程的方法，其特征在于，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nandflash存储器包括：存储单元，所述方法包括：
接收第一次部分编程操作指令；
根据所述第一次部分编程操作指令，对对应于所述第一次部分编程操作指令的存储单元执行第一次编程验证操作；
若第一次编程验证通过的存储单元的数量达到目标数量，则记录对应第一次编程验证通过时的编程加压操作的次数；
完成所述第一次部分编程操作指令对应的部分编程操作；
接收第二次部分编程操作指令；
根据所述次数，确定目标电压；
根据所述第二次部分编程操作指令，对对应于所述第二次部分编程操作指令的存储单元执行所述第二次部分编程操作指令对应的编程加压操作，所述第二次部分编程操作指令对应的编程加压操作以所述目标电压为执行所述第二次部分编程操作指令对应的编程加压操作的初始电压值；
其中，第一次部分编程操作的存储单元、第二次部分编程操作的存储单元为同一字线上的存储单元，该字线上的存储单元还包括：第三次部分编程操作的存储单元，所述第三次部分编程操作的步骤与所述第二次部分编程操作的步骤相同。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据所述第一次部分编程操作指令，对对应于所述第一次部分编程操作指令的存储单元执行第一次编程验证操作之后，所述方法还包括：
若第一次编程验证通过的存储单元的数量未达到目标数量，则对对应于所述第一次部分编程操作指令的存储单元，执行所述第一次部分编程操作指令对应的编程加压操作；
对所述第一次部分编程操作指令对应的存储单元，执行所述第一次部分编程操作指令对应的第二次编程验证操作；
若第二次编程验证通过的存储单元的数量达到目标数量，则记录对应第二次编程验证通过时的编程操加压操作的次数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若第一次编程验证通过的存储单元的数量达到目标数量，则记录对应第一次编程验证通过时的编程操加压操作的次数，包括：
若第一次编程验证通过的存储单元的数量达到目标数量，则记录对应第一次编程验证通过时的编程操加压操作的次数在所述存储单元字线的空闲区域中；
或者，若第一次编程验证通过的存储单元的数量达到目标数量，则记录对应第一次编程验证通过时的编程操加压操作的次数在所述Nand flash存储器的寄存器中。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述次数，确定目标电压，包括：
读取所述存储单元字线的空闲区域中记录的所述次数，根据所述次数，确定目标电压的电压值；
或者，读取所述Nand flash存储器的寄存器中记录的所述次数，根据所述次数，确定目标电压的电压值。
5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述目标电压的电压值取值为：
所述Nand flash存储器执行部分编程操作的初始电压值加上所述次数乘以预设值。
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