[发明专利]一种部分编程的方法和装置

说明书

本发明提供了一种部分编程的方法和装置。所述方法包括：接收第一次部分编程操作指令，对对应于第一次部分编程操作指令的存储单元执行第一次编程验证操作，若第一次编程验证通过的存储单元的数量达到目标数量，则记录对应第一次编程验证通过时的编程操加压操作的次数，完成第一次部分编程操作指令对应的部分编程操作，接收第二次部分编程操作指令，根据次数，确定目标电压，对对应于第二次部分编程操作指令的存储单元执行第二次部分编程操作指令对应的编程加压操作。本发明减少了第二次部分编程操作所需的编程循环次数，从而整体上减少了对没有被执行编程操作的存储单元的干扰，提高Nand flash存储器的可靠性。

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种部分编程的方法和装置。

背景技术

目前Nand flash存储器采用的编程方式为正常编程方式和部分编程方式，所谓部分编程方式是指：将一次编程操作分成几次编程操作来完成。例如：一次编程操作需要对2K大小的存储单元执行编程，可以将其分为4次完成，即第一次对512byte大小的存储单元执行编程，第二次再对512byte大小的存储单元执行编程，第三次再对512byte大小的存储单元执行编程，第四次对剩下的512byte大小的存储单元执行编程。

在采用部分编程的方式执行编程操作时，假设单次执行部分编程时，需要6个编程循环，才可以使得存储单元通过编程验证，那么对于在同一个字线(wl)上的其它存储单元，后面每次的部分编程都需要6个编程循环才能使得相应的存储单元(即在同一字线上的其它存储单元)通过编程验证，而在每次执行部分编程操作时，都会增加对该wl上没有被执行编程操作的存储单元的干扰，这会极大地影响Nand flash存储器的可靠性。

发明内容

本发明提供一种部分编程的方法和装置，解决了在每次执行部分编程操作时，都会增加对该wl上没有被执行编程操作的存储单元的干扰的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种部分编程的方法，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：存储单元，所述方法包括：

接收第一次部分编程操作指令；

根据所述第一次部分编程操作指令，对对应于所述第一次部分编程操作指令的存储单元执行第一次编程验证操作；

若第一次编程验证通过的存储单元的数量达到目标数量，则记录对应第一次编程验证通过时的编程操加压操作的次数；

完成所述第一次部分编程操作指令对应的部分编程操作；

接收第二次部分编程操作指令；

根据所述次数，确定目标电压；

根据所述第二次部分编程操作指令，对对应于所述第二次部分编程操作指令的存储单元执行所述第二次部分编程操作指令对应的编程加压操作，所述第二次部分编程操作指令对应的编程加压操作以所述目标电压为执行所述第二次部分编程操作指令对应的编程加压操作的初始电压值。

可选地，在根据所述第一次部分编程操作指令，对对应于所述第一次部分编程操作指令的存储单元执行第一次编程验证操作之后，所述方法还包括：

若第一次编程验证通过的存储单元的数量未达到目标数量，则对对应于所述第一次部分编程操作指令的存储单元，执行所述第一次部分编程操作指令对应的编程加压操作；

对所述第一次部分编程操作指令对应的存储单元，执行所述第一次部分编程操作指令对应的第二次编程验证操作；

若第二次编程验证通过的存储单元的数量达到目标数量，则记录对应第二次编程验证通过时的编程操加压操作的次数。

可选地，若第一次编程验证通过的存储单元的数量达到目标数量，则记录对应第一次编程验证通过时的编程操加压操作的次数，包括：